注：图像仅供参考，请参阅产品规格数据手册
SI2316DS-T1-E3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
SOT-23-3（TO-236）
包装 :
编带
重量 :
0.035g
描述 :
场效应管(MOSFET) 700mW 30V 2.9A 1个N沟道 SOT-23
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
0.772按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.772
--
200+
￥0.532
--
1500+
￥0.484
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI2316DS-T1-E3参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 2.9A |
| 栅源极阈值电压 | 800mV @ 250uA(最小) | 漏源导通电阻 | 50mΩ @ 3.4A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 700mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.9A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 50 毫欧 @ 3.4A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 800mV @ 250µA（最小） |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 7nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 215pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 700mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
SI2316DS-T1-E3手册
SI2316DS-T1-E3概述
产品概述：SI2316DS-T1-E3 N沟道MOSFET
一、产品简介
SI2316DS-T1-E3是一款高性能的N沟道MOSFET，采用SOT-23-3封装，专为低功耗应用而设计。其具有优异的漏源电压（Vdss）特性，最大可达30V。该MOSFET的连续漏极电流（Id）在25°C环境条件下为2.9A，能够满足各种电子电路对高电流输出的需求。同时，其最大功率耗散为700mW，使其在多种应用场景中表现出色。
二、关键参数
- 漏源电压（Vdss）: 30V，支持相对较高的工作电压；
- 连续漏极电流（Id）: 2.9A（25°C时），适合大多数低至中等功耗的应用；
- 导通电阻（Rds(on）: 在3.4A和10V驱动下为50mΩ，表现出色的导电性能；
- 栅源阈值电压（Vgs(th)）: 最低800mV @ 250µA，适合低电平驱动；
- 工作温度范围: -55°C至150°C，适合严苛环境；
- 栅极电荷（Qg）: 最大7nC @ 10V、在高频率应用下表现优异。
三、应用领域
SI2316DS-T1-E3广泛应用于各种电子产品中，尤其是在以下领域表现突出：
- 电源管理: 在DC-DC转换器、开关稳压器及电池管理系统中，可以作为开关元件，以实现高效能量转换和管理。
- 汽车电子: 其高工作温度范围和稳健的电压、电流承受能力使其适合用于汽车上的电源切换及控制。
- 消费电子: 在智能手机、平板电脑和其他便携式设备中，实现高效的电源切换及信号放大。
- 工业应用: 各类监控及控制电路中，例如在继电器驱动及负载开关应用中。
四、安装与封装
SI2316DS-T1-E3采用SOT-23-3（TO-236）封装设计，体积小、便于表面贴装，适合现代电子设备追求的小型化与高集成度需求。这种封装不仅简化了生产流程，还确保了更高的可靠性与稳定性。
五、性能优势
- 高导电性: 导通电阻的优势使其在较低的功耗条件下也能实现较大的电流输出，适合高效能的应用设计。
- 广泛的性能适应性: 从-55°C到150°C的广泛工作温度范围，使其适用于多种极端环境。
- 低驱动电压: 最低800mV的栅源阈值电压意味这款MOSFET能够用较低的驱动电压就能进入导通状态，为电源设计提供了灵活性。
六、购买信息
SI2316DS-T1-E3由知名电子元器件供应商VISHAY（威世）出品，确保了产品的高质量与稳定性。选用该MOSFET不仅能提升电子设计的性能，同时也方便工程师进行设计与调试。
结论
SI2316DS-T1-E3 N沟道MOSFET是一款高效、多用途的电子元器件，凭借其杰出的电气特性和广泛的应用适应性，成为现代电子设计中不可或缺的关键元件。无论是在消费电子、汽车电子还是工业应用领域，SI2316DS-T1-E3均展现出色的性能，助力工程师打造出更高效、更智能的电子设备。