SI2305CDS-T1-GE3
SI2305CDS-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 8V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 5.8A |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 35mΩ @ 4.4A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 960mW | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.8A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 35 毫欧 @ 4.4A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 30nC @ 8V | Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 960pF @ 4V | 功率耗散（最大值） | 960mW（Ta），1.7W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
SI2305CDS-T1-GE3手册
SI2305CDS-T1-GE3概述
SI2305CDS-T1-GE3 产品概述
概述 SI2305CDS-T1-GE3是一款由VISHAY（威世）公司生产的高性能P沟道MOSFET，封装类型为SOT-23-3（TO-236-3）。该器件设计用于需要低导通电阻和良好电源管理的应用，特别适合于电源开关、负载开关和其他功率控制电路。凭借其优异的电气特性和宽广的工作温度范围，SI2305CDS-T1-GE3广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子等领域。
基本参数
- 漏源电压（Vdss）：最高可达8V，适合低电压应用。
- 连续漏极电流（Id）：在25°C环境温度下可承载高达5.8A的电流，确保在负载条件下具备稳定的性能。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：仅为1V @ 250µA，显示出良好的驱动灵敏度。
- 漏源导通电阻（Rds On）：在4.4A和4.5V的情况下，最大导通电阻为35mΩ，提供了非常低的功耗和高效的能量转换效率。
- 最大功率耗散：在25°C时可承载960mW，且在结温（Tc）下提到1.7W，这提供了良好的热管理能力。
电气特性 SI2305CDS-T1-GE3具有卓越的开关特性，特别是在低Vgs下便能够实现高效导通。这一点对于现代高频开关电路尤其重要。栅极电荷（Qg）为30nC @ 8V，使得该MOSFET在开启和关闭时具有较低的开关损耗，适合高频应用。输入电容（Ciss）在4V下最大为960pF，有助于减少开关时的影响和保持稳定性。
耐温能力 SI2305CDS-T1-GE3的工作温度范围广泛，从-55°C到150°C。这意味着它可以在极端的温度条件下正常工作，符合多种工业和汽车应用的需求。这样的耐温能力使得该器件适应多样化的应用环境，增强了其市场适用性。
封装与安装方式 SI2305CDS-T1-GE3采用SOT-23-3封装（或称TO-236-3），是一种常见的表面贴装型封装，适合自动化焊接和生产线集成，节省了空间并提高了生产效率。该封装形式还提供了良好的散热特性，减少了因过热造成的性能下降。
应用领域 考虑到其电气特性和物理规格，SI2305CDS-T1-GE3适用于多种应用，其中包括：
- 电源管理：在开关电源和DC-DC转换器中起核心作用。
- 负载开关：可用于智能家居、汽车电子和工业设备的负载控制。
- 信号调理：可用于音频和视频设备的信号调理电路。
结论 VISHAY的SI2305CDS-T1-GE3 MOSFET凭借其低导通电阻、高连续漏极电流及优秀的温度容忍性，是理想的选择，适用于各种电子设计与应用。其高效能和稳定性使其在当今快速发展的电子市场中保持了良好的竞争力，对于关注低功耗和可靠性设计的工程师来说，SI2305CDS-T1-GE3无疑是一个值得关注的组件。