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SI2302CDS-T1-E3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
SOT-23-3（TO-236）
包装 :
编带
重量 :
0.035g
描述 :
场效应管(MOSFET) 710mW 20V 2.6A 1个N沟道 SOT-23
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
0.683按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.683
--
200+
￥0.441
--
1500+
￥0.383
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI2302CDS-T1-E3参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 2.6A |
| 栅源极阈值电压 | 850mV @ 250uA | 漏源导通电阻 | 57mΩ @ 3.6A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 710mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.6A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 57 毫欧 @ 3.6A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 850mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 5.5nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±8V |
| 功率耗散（最大值） | 710mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
SI2302CDS-T1-E3手册
无数据
SI2302CDS-T1-E3概述
SI2302CDS-T1-E3 产品概述
概述：
SI2302CDS-T1-E3 是来自知名品牌 VISHAY（威世）的 N 沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），其设计专为低功耗和高速开关应用而研发，广泛应用于电源管理、马达驱动和各种电子设备中。该 MOSFET 的小型封装使其非常适合需要紧凑设计和高效散热的场合，尤其是在便携式电子产品和高密度电路板中。
产品特点：
电气特性：
- 漏源电压（Vdss）：20V，适用于低压应用场景；
- 连续漏极电流（Id）：在 25°C 环境下达到 2.6A，提供良好的负载能力；
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：850mV @ 250µA，保证良好的开关控制；
- 漏源导通电阻（Rds(on)）：57mΩ @ 3.6A，4.5V，确保低功耗和低发热。
功率特点：
- 最大功率耗散：710mW（在 25°C 时），确保在一般操作条件下的稳定性和安全性；
- 工作温度范围：-55°C 至 150°C，适应各种严苛的工作环境。
驱动特性：
- 最大驱动电压：2.5V 至 4.5V，提供广泛兼容性，适合多种逻辑电平驱动；
- 栅极电荷（Qg）：5.5nC @ 4.5V，保证快速切换速度，适合高频率应用。
封装与安装：
- 封装类型：采用 SOT-23-3 (TO-236) 表面贴装型，具有小尺寸和轻量化的优点，便于自动化生产和空间受限的设计。
应用领域：
由于其优异的性能，SI2302CDS-T1-E3 MOSFET 可广泛应用于以下几个领域：
- 电源管理：作为开关元件在 DC-DC 转换器和电源开关电路中；
- 马达驱动：用于直流电机和步进电机的驱动电路；
- 电池供电设备：适合在移动设备和便携式电子产品中的电源切换；
- 信号开关：在音频和视频信号处理中的开关控制。
结论：
SI2302CDS-T1-E3 是一款高效、可靠的小型 N 沟道 MOSFET，具备出色的电流承载和导通过性，同时在高温和高频率条件下仍能保持良好性能。凭借其优秀的参数特性和广泛的应用场景，该产品能够满足现代电子设备对高效能和小型化的需求，是电子工程师和设计师理想的选择。无论是在高效电源设计、马达控制还是其他开关应用中，SI2302CDS-T1-E3 都能提供出色的性能表现，是行业内值得信赖的元器件。