SI1972DH-T1-E3
SI1972DH-T1-E3参数
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | FET类型 | 2个N沟道（双） |
| 漏源极电压（Vdss） | 30V | 安装类型 | 表面贴装(SMT) |
| FET 类型 | 2 N-通道（双） | FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.3A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 225 毫欧 @ 1.3A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 2.8nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 75pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 1.25W | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 供应商器件封装 | SC-70-6（SOT-363） |
SI1972DH-T1-E3手册
SI1972DH-T1-E3概述
产品概述：SI1972DH-T1-E3
一、概述
SI1972DH-T1-E3 是一款高性能的双 N-通道 MOSFET 阵列，由威世半导体（Vishay）制造，采用表面贴装(SMT)技术，封装形式为 SC-70-6 （SOT-363）。本产品的设计旨在满足现代电子设备对小型化、高效率和高可靠性组件的需求，其广泛应用于各种消费电子、工业控制及汽车电子等领域。
二、主要特性
电气性能：SI1972DH-T1-E3 的漏源极电压（Vdss）为 30V，能够承受较高的电压而不发生击穿，这使其非常适合用于需要中低电压操作的电路设计。其连续漏极电流（Id）最大可达 1.3A，意味着在高负载应用中也能保持稳定的工作状态。
导通电阻：该器件在 25°C 环境下，1.3A 电流和 10V 的栅极电压下，最大导通电阻为 225 毫欧，具有优良的导电性能，能够降低功耗，提升整体电路的能效。
可靠性和工作温度范围：SI1972DH-T1-E3 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，能够在严酷的环境下长时间稳定工作。这样的特性对于那些需要在高温或低温条件下正常运行的应用场景尤为重要。
栅极阈值电压：不同 Id 条件下，最大栅极阈值电压（Vgs(th)）为 2.8V（@ 250µA），这使得其能够在较低的栅极电压下有效开启，为电路设计留下了更多的灵活性。
电容特性：该器件的输入电容（Ciss）在 15V 时最大为 75pF，这意味着它在高速开关应用中表现良好，能够有效降低延迟和功耗。
电荷特性：栅极电荷（Qg）在 10V 时最大为 2.8nC，这一特性使得在驱动时对门信号的要求较低，从而进一步提高了设计的简便性和响应速度。
三、应用领域
SI1972DH-T1-E3 的设计理念兼顾了高效率和良好的热管理性能，适合于多种应用场景，具体包括：
- 电源管理：在开关电源、DC-DC 转换器和线性稳压器中，SI1972DH-T1-E3 可以作为开关器件，高效控制能量的转移与分配。
- 电动机驱动：适用于小型电动机驱动电路，对电流的迅速响应和较低的线损是其主要优势。
- 信号开关：在音频、视频等信号处理领域，可以用作信号开关，确保信号的快速转换与放大。
- LED 驱动：广泛应用于 LED 照明驱动电路，能够高效且稳定地控制 LED 的开关状态及亮度。
四、结论
SI1972DH-T1-E3 是一款具备高性能、高效率与高可靠性的双 N-通道 MOSFET 阵列，适用于多种工业和消费电子应用。其优异的电气性能和宽广的工作温度范围，使其成为工程师在设计电源管理、电机驱动及信号开关等电路时的理想选择。凭借威世半导体的质量保证与丰富的应用经验，SI1972DH-T1-E3 将助力您的产品提高效率、降低功耗，切实增强市场竞争力。