SI1967DH-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
SC-70-6（SOT-363）
包装 :
编带
重量 :
0.04g
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.25W 20V 1.3A 2个P沟道 SOT-363
库存 :
14647(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
1.53按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.53
--
100+
￥1.18
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750+
￥0.975
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1500+
￥0.887
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3000+
￥0.814
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30000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI1967DH-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 790mΩ @ 250mA,1.8V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 1.3A |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.25W | 类型 | 双P沟道 |
| FET 类型 | 2 个 P 沟道（双） | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.3A | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 490 毫欧 @ 910mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 4nC @ 8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 110pF @ 10V | 功率 - 最大值 | 1.25W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 供应商器件封装 | SC-70-6（SOT-363） |
SI1967DH-T1-GE3手册
SI1967DH-T1-GE3概述
SI1967DH-T1-GE3 产品概述
产品简介
SI1967DH-T1-GE3 是一款由VISHAY（威世）提供的双P沟道场效应晶体管（MOSFET），采用SC-70-6（二 SOT-363）封装。该MOSFET最大漏源电压（Vdss）为20V，连续漏极电流（Id）可达1.3A，具备极低的栅源阈值电压和导通电阻，能够满足高性能低功耗电子应用的需求。
主要规格
- 漏源电压（Vdss）: 20V
- 连续漏极电流（Id）: 1.3A（在25°C时）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 1V @ 250µA
- 漏源导通电阻（RDS(on)）: 790mΩ @ 250mA, 1.8V；490mΩ @ 910mA, 4.5V
- 最大功率耗散: 1.25W （在室温25°C下）
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 输入电容（Ciss）: 110pF @ 10V
- 栅极电荷（Qg）: 4nC @ 8V
- 封装类型: SC-70-6（SOT-363）
应用领域
SI1967DH-T1-GE3 MOSFET 适用于多种应用场景，主要包括但不限于：
- 功率管理: 由于其低导通电阻和高效能，适合用于电源开关，电源转换器以及负载开关等功率管理解决方案。
- 低功耗电路: MOSFET 所具备的逻辑电平门特性使其在低电压驱动的应用中表现优异，尤其是在移动设备和便携式设备中。
- 音频和信号开关: 可用于音频信号开关和其他信号控制电路，其快速开关时间保证了信号的完整性。
- 汽车电子: 适合用于汽车电源分配和其他高温环境下的应用，得益于其宽广的工作温度范围。
性能优势
- 低功耗和高效率: 该MOSFET的设计重点在于降低导通电阻，极大地减少了在开关状态下的功率损耗，从而提高了整体系统的能效。
- 高温稳定性: 具有优良的热管理能力，适用于极端环境，满足汽车电子的高温要求。
- 紧凑的封装: SC-70-6 封装形式节省了PCB空间，使其非常适合于高密度的电路设计。
- 易于驱动: 低阈值电压使得它可以用较低的电压驱动，简化了电路设计。
结论
SI1967DH-T1-GE3 是一款技术先进、功能强大的双P沟道MOSFET。凭借其优秀的电气性能和可靠的制造工艺，VISHAY为其加入了多种电源管理和信号控制应用的便利性。无论是在消费电子、汽车电子还是工业控制领域，SI1967DH-T1-GE3都展现出强大的竞争力，是设计师和工程师们的理想选择。随着技术的不断进步，该产品将继续在各类创新应用中发挥重要角色。