SDM20U30-7
SDM20U30-7参数
| 直流反向耐压（Vr） | 30V | 平均整流电流（Io） | 200mA |
| 正向压降（Vf） | 500mV @ 200mA | 二极管类型 | 肖特基 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 30V | 电流 - 平均整流 (Io) | 200mA |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 500mV @ 200mA | 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 150µA @ 30V | 不同 Vr、F 时电容 | 20pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-79，SOD-523 |
| 供应商器件封装 | SOD-523 | 工作温度 - 结 | -65°C ~ 125°C |
SDM20U30-7手册
SDM20U30-7概述
SDM20U30-7 产品概述
产品背景
肖特基二极管以其低正向压降和快速开关特性在电子电路中得到了广泛应用，尤其适用于整流、稳压及反向电压保护等场合。SDM20U30-7是由DIODES（美台）公司研发的一款表面贴装型肖特基二极管，特别设计以满足低损耗和高效率的需求，尤其在电源电路、开关电源和电池管理系统中展现出独特的优势。
主要特点
直流反向耐压 (Vr): SDM20U30-7具有最大30V的直流反向耐压，能够在电路中承受一定的电压尖峰而不损坏，适合多种应用场景。
平均整流电流 (Io): 该器件具有200mA的平均整流电流能力，能够有效地处理较大电流，满足大部分中小功率应用的需求。
正向压降 (Vf): 在200mA的工作条件下，SDM20U30-7的正向压降为500mV，低压降不仅减少了能耗，也降低了总体发热量，提高了系统的热管理效率。
反向泄漏电流: 在30V反向电压下，器件的反向泄漏电流小于150µA，表明其在阻止反向电流流动方面表现优异，有效防止反向电流影响其他电路部分。
电容特性: 在0V、1MHz的条件下，SDM20U30-7的电容值为20pF，合理的电容特性使其适用于高频应用，在开关电路中能够有效减少噪声和干扰。
宽工作温度范围: 该器件可以在-65°C到125°C的温度范围内稳定工作，适合多种环境条件，提供更大的设计灵活性。
表面贴装型封装: SDM20U30-7采用的是SOD-523封装，这种小型封装不仅简化了PCB设计和自动化贴片工艺，还有效节省了电路板空间，使得产品更为紧凑。
应用领域
SDM20U30-7典型的应用领域包括：
- 开关电源: 由于其较低的正向压降和高反向耐压，能有效提升开关电源的转换效率与稳定性。
- 电池管理系统: 肖特基二极管作为整流和保护的关键元件，保障电池在充放电过程中避免反向电流影响，确保系统安全。
- DC-DC转换器: 在各种DC-DC转换场合，SDM20U30-7以其快速开关特性和低正向压降，提升了转换效率。
- 功率模块: 大功率应用中，SDM20U30-7可作为整流器，支持高频的电流整流需求。
结论
作为DIODES（美台）公司的一款优秀产品，SDM20U30-7凭借其诸多卓越的电气特性，被广泛应用于多个领域，充分展现出肖特基二极管在现代电子设计中的重要性。该器件结合了高效能、低功耗和优异的热适应性，是电源管理和电流整流领域内的不二选择，其在市场中具有非常高的竞争力。设计师可以放心选用SDM20U30-7，进行高效电源管理和高频整流应用，为用户提供更优质的电气性能和设计灵活性。