直流反向耐压(Vr) | 20V | 平均整流电流(Io) | 1A |
正向压降(Vf) | 440mV @ 1A | 二极管类型 | 肖特基 |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 20V | 电流 - 平均整流 (Io) | 1A |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 440mV @ 1A | 速度 | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 100µA @ 20V | 不同 Vr、F 时电容 | 76pF @ 4V,1MHz |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 2-XDFN |
供应商器件封装 | X3-WLB1406-2 | 工作温度 - 结 | -55°C ~ 150°C |
SDM1U20CSP-7 是一款具有优越性能的肖特基二极管,由知名品牌 DIODES(美台)制造,专为高效率电源管理和快速整流应用而设计。该器件的特性包括低正向压降、良好的热稳定性和高的反向电压耐受能力,使其成为各种电子设备中不可或缺的元件。其主要应用场景包括开关电源、充电器、电池管理系统以及其他需要快速开关特性的电路。
低正向压降: SDM1U20CSP-7的正向压降在1A负载条件下为440mV,显著低于传统二极管。这一特性使其在整流应用中提升整体效率,减少能量损失,尤其适合于要求高能效的电子设备。
高反向耐压: 该器件的最大反向耐压为20V,保证了在多个工作条件下的可靠性与安全性,适应多种电源电压范围的需求。
快速恢复特性: 反应速度快(<500ns),使其特别适合用于高频开关电源,能够有效降低切换损耗,提升信号清晰度,优化整体电路性能。
小型封装设计: SDM1U20CSP-7采用 X3-WLB1406-2 表面贴装封装,具有良好的热性能和空间利用率,适合现代紧凑型电子产品设计。
低温运行能力: 该二极管的工作温度范围从-55°C到150°C,使其在极端环境下也能够保持优良的工作性能,尤其适合工业和汽车电子应用。
SDM1U20CSP-7 是一款设计精良的肖特基二极管,凭借其低压降、高耐压及快速响应能力,在电子整流和电源管理等领域展现出卓越性能。其运行温度范围广泛,适合多种应用场景,尤其在现代高效能设备的设计中,能够发挥不可或缺的作用。选择SDM1U20CSP-7不仅是对电子产品性能的提升,也是对长期稳定性与可靠性的有力保障。