SCT2160KEC

SCT2160KEC 产品概述

1. 引言

SCT2160KEC 是一款高性能的 N 通道场效应晶体管（MOSFET），采用碳化硅（SiC）技术，专为高电压、高功率应用而设计。Rohm（罗姆）作为知名的半导体制造商，其产品系列涵盖了从标准元器件到高度集成化的解决方案，SCT2160KEC 作为其高压 FET 系列中的佼佼者，展现出了卓越的性能。

2. 主要规格与特性

• FET 类型: N 通道是本产品的主要特性，这种设计使得 SCT2160KEC 在高频率和高电压应用中特别有效。
• 技术: 基于碳化硅（SiC）技术，具有更高的效率和更低的导通损耗，相比于传统的硅基 MOSFET 具有更佳的热性能和导电效率。
• 漏源电压（Vdss）: 该器件的漏源电压高达 1200V，使其适用于高压应用环境。
• 连续漏极电流（Id）: 在 25°C 时，该 MOSFET 可连续承载 22A 的电流，适合高载流设备的需求。
• 导通电阻（Rds On）: 在 Id 为 7A 时，导通电阻最大值为 208 毫欧，这保证了在工作时的较低功率损耗。
• 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大栅极阈值电压为 4V，能够在低驱动电压下轻松启动。
• 栅极电荷（Qg）: 在 18V 时，栅极电荷最大值为 62nC，提供了更高的开关效率。
• 输入电容（Ciss）: 最大输入电容为 1200pF，非常适合高频操作。
• 功率耗散（Pd）: 最大功率耗散能力为 165W，支持在极端条件下的工作。
• 工作温度（TJ）: 工作温度可达 175°C，使其适于高温恶劣环境下运行。
• 安装类型: 采用通孔安装，便于在各种电路板上的集成。
• 封装: TO-247 封装提升了散热能力，适合于大功率应用。

3. 应用场景

SCT2160KEC 的特性使其在以下应用场景中特别适用：

• 电源供应: 适合高效电源转换器、逆变器和其他电源管理应用中，因为其高压和高电流承载能力。
• 电动汽车和充电基础设施: 对于电动汽车驱动系统及充电桩，SCT2160KEC 提供了高能效与可靠性。
• 工业驱动和机器人: 在自动化设备及工业电机驱动中，良好的热管理和高功率输出尤为重要。
• 可再生能源: 在太阳能逆变器或风能转换系统中，高效率和耐高温能力使其更具竞争力。

4. 结论

SCT2160KEC 作为 ROHM 旗下的一款高性能 N 通道 MOSFET，不仅在技术规格上表现出色，还广泛适用于电源管理和动力控制等多个行业的具体应用。凭借其高电压、高效率及高温工作能力，该产品是寻求性能与可靠性的工程师与设计师们的理想选择。通过采用先进的 SiC 技术，SCT2160KEC 代表了当前半导体技术的前沿，能够满足现代电子设备在高压、高功率领域的不断增长的需求。