RZM001P02T2L
RZM001P02T2L参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 100mA |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 100uA | 漏源导通电阻 | 3.8Ω @ 100mA,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 150mW | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.2V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.8 欧姆 @ 100mA，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 100µA |
| Vgs（最大值） | ±10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 15pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 150mW（Ta） | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | VMT3 |
| 封装/外壳 | SOT-723 |
RZM001P02T2L手册
RZM001P02T2L概述
RZM001P02T2L 产品概述
概述
RZM001P02T2L 是一款新型 P 沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），专为低功耗、高效率的电子应用而设计。该器件由著名半导体制造商 ROHM（罗姆）生产，采用 SOT-723 封装，使其具有优越的性能和灵活的安装选项。它的主要电气特性包括最大漏源电压（Vdss）为 20V，连续漏极电流（Id）、在 25°C 下为 100mA，功率耗散最大值可达 150mW。这些特性使 RZM001P02T2L 适用于多种应用场景，包括便携式电子设备、开关电源和电机驱动等。
电气规格
RZM001P02T2L 的关键电气参数如下：
漏源电压（Vdss）: 最大20V - 这个参数确定了器件在保持正常工作下能够承受的最高电压，适合需要20V以下电压操作的电路。
连续漏极电流（Id）: 在25°C下，最高可达100mA - 这意味着在这个温度下，RZM001P02T2L 能够安全地承受和传导的电流。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 1V @ 100µA - 该值指的是当栅源电压达到1V时，进入导通状态所需的最低电压。
导通电阻（Rds On）: 本器件在4.5V下、100mA电流时，导通电阻最大为3.8Ω。这使得该 MOSFET 在工作时能保持较低的功耗和发热，优化系统效能。
功率耗散（Ptot）: 最大值为150mW - 该参数仅在环境温度为25°C 时有效，确保器件在额定功率下不会异常升温。
输入电容（Ciss）: 最大值为15pF @ 10V - 该参数有助于评估快速开关操作的能力，低电容使其在高频应用中表现更佳。
工作温度范围: 可达150°C - 适合高温环境中使用，为高性能设备提供更大的设计灵活性。
应用场景
RZM001P02T2L 由于其优越的电气性能，适用于广泛的应用场合：
便携式电子产品: 由于其低功耗特性，适合用于智能手机、平板电脑等便携设备的电源管理电路，以延长电池续航时间。
开关电源: 在开关电源设计领域，该 MOSFET 可以用于高效的电压转换，帮助降低电源的能耗，提高系统整体效率。
电机驱动: 适用于小功率电机的控制，可以实现快速切换和精确控制。
信号放大和开关应用: 在各种逻辑开关电路中，该器件以其出色的开关特性和低导通电阻，提供优质的性能。
封装与安装
RZM001P02T2L 采用 SOT-723（VMT3）封装，适合表面贴装技术（SMT）的应用。此封装不仅减少了所占用的板面积，还能够有效提高散热性能，有助于提升整机的效率和性能。小巧的尺寸使得该器件在空间有限的设计中更具优势。
总结
综上所述，RZM001P02T2L 是一款高性能、低功耗 P 沟道 MOSFET，适合在各种电子设备中实现高效的开关和控制。其优越的电气特性、广泛的工作温度范围以及紧凑的封装形式，使其在现代电子设计中极具吸引力。选择 RZM001P02T2L 有助于提升系统性能，同时满足日益增长的能效需求。