RB751VM-40TE-17
RB751VM-40TE-17参数
| 直流反向耐压（Vr） | 30V | 平均整流电流（Io） | 30mA |
| 正向压降（Vf） | 370mV @ 1mA | 二极管类型 | 肖特基 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 30V | 电流 - 平均整流 (Io) | 30mA |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 370mV @ 1mA | 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 500nA @ 30V | 不同 Vr、F 时电容 | 2pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-90，SOD-323F |
| 供应商器件封装 | UMD2 | 工作温度 - 结 | 150°C（最大） |
RB751VM-40TE-17手册
RB751VM-40TE-17概述
RB751VM-40TE-17 产品概述
RB751VM-40TE-17 是一款高级肖特基二极管，专为满足现代电子设计的高效率和低损耗需求而构造。这款二极管由领先的半导体制造商 ROHM（罗姆）生产，具有出色的性能参数，非常适合于各种低功耗应用和快速开关电路中。RB751VM-40TE-17 的性能特点使其在电源管理、信号整流和反向电流保护等应用领域表现尤为出色。
主要特性
直流反向耐压 (Vr) 与整流能力 (Io): RB751VM-40TE-17 的最大直流反向耐压为 30V，这使其能够在许多常见的电子应用中安全操作。同时，平均整流电流可达 30mA，适用于低功耗电路中的电流传输需求。
优异的正向压降 (Vf): 在 1mA 的工作条件下，二极管的正向压降仅为 370mV。这一特性不仅提升了能效，降低了电源损耗，还有助于延长电池寿命，在便携式和低功耗电子设备中尤为重要。
低反向泄漏电流: 在 30V 的反向偏置下，RB751VM-40TE-17 仅有 500nA 的反向泄漏电流，体现了其优良的电气性能。这一特性在敏感电路中，经常需要避免的漏电流问题上提供了优秀的解决方案，使得该二极管在高可靠性应用中极具竞争力。
快速响应和高频性能: 该肖特基二极管设计用于实现快速开关能力，适合于小信号应用，其小信号电流能力可达到 200mA。这意味着在高频操作条件下，它能够保持低的导通损耗，并快速响应信号变化，适合于高频开关电源和调制解调器等领域。
超小封装: RB751VM-40TE-17 采用 SOD-323F 封装，具有极小的体积，便于实现高密度布线和小型化设计。其表面贴装类型（SMD）设计使得在自动组装线上的应用更为方便，从而进一步降低生产成本。
宽广的工作温度范围: 该产品的结温最大可达 150°C，表明其在较高温度下仍能够稳定工作，适合从宽广环境中多种应用的需求，包括汽车电子、工业控制和消费类电子设备。
应用领域
RB751VM-40TE-17 的性能特点使其能广泛应用于多种电子产品中，例如：
- 电源管理: 用于整流、稳压和电源切换电路中，有效提高能效。
- 通信设备: 在高频 RF 应用中，作为快速开关用二极管，提高信号完整性。
- 便携式设备: 应用在电池供电的设备中，提供高效能、低功耗方案。
- 工业控制: 应用于传感器和执行器中，作为保护二极管，防止反向电流损害。
结论
RB751VM-40TE-17 肖特基二极管凭借其优异的电气性能、紧凑的封装和广泛的适用性，成为现代电子设计中不可或缺的元件。无论是在节能方面的需求还是在高效处理信号时的性能要求，RB751VM-40TE-17 都能为设计工程师提供可靠的解决方案，充分满足其在各类应用场景中的多样需求。