封装/外壳 | SOT-23-6细型,TSOT-23-6 | 晶体管类型 | PNP |
电压-集射极击穿(最大值) | 12V | 集电极电流Ic(最大值) | 6A |
电流放大倍数hFE(最小值) | 270@500mA,2V | 功率(最大值) | 1.25W |
工作温度 | 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装(SMT) |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 6A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 12V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 250mV @ 60mA,3A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 270 @ 500mA,2V | 功率 - 最大值 | 1.25W |
频率 - 跃迁 | 250MHz | 供应商器件封装 | TSMT6(SC-95) |
QST2TR 是一款由 ROHM(罗姆)公司生产的高性能 PNP 型三极管(BJT),适用于各种电子电路的应用。这款元器件在 SOT-23-6 和 TSMT6(SC-95)封装中提供,具备卓越的电流承载能力和高频性能,广泛应用于开关电源、音频放大器、信号处理等领域。
QST2TR 的一大优势在于其高电流输出能力,能够承受高达 6A 的集电极电流,使其非常适合用于高功率开关应用。同时,12V 的集射极击穿电压为电路设计提供了灵活性,能够满足多种工作条件下的需求。
在性能方面,该产品的电流放大倍数(hFE)达到最小值 270,确保了优异的放大能力,为传统的放大电路提供了出色的解决方案。其集合极截止电流最大仅为 100nA,意味着在待机状态下几乎没有功耗。
此外,QST2TR 的饱和压降仅为 250mV,这一点在高频应用中显得尤为重要,能够显著降低能量损失,提升总体电路效率。
QST2TR 的应用领域广泛,包括但不限于:
QST2TR 作为一款高性能的 PNP 三极管,凭借其优良的电气特性、适用的温度范围以及卓越的功率处理能力,使其成为电子设计工程师的理想选择。无论是在高频电路设计中,还是在需要高电流输出的应用场合,QST2TR 都能提供可靠而高效的解决方案。
ROHM(罗姆)推出的 QST2TR,不仅体现了其在电子元器件领域的技术创新与领先地位,同时也为广大电子产品的设计提供了丰富的可能性。无论您是从事消费类电子、工业自动化还是智能家居领域的开发,QST2TR 都是值得考虑的关键元器件。结合其出色的性能与广泛的应用潜力,使其成为现代电子设计中不可或缺的重要组成部分。