PSMN0R9-25YLC,115
PSMN0R9-25YLC,115参数
| 漏源电压（Vdss） | 25V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 100A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 1.95V @ 1mA | 漏源导通电阻 | 0.99mΩ @ 25A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 272W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 0.99 毫欧 @ 25A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.95V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 110nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6775pF @ 12V | 功率耗散（最大值） | 272W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | LFPAK56，Power-SO8 | 封装/外壳 | SC-100，SOT-669 |
PSMN0R9-25YLC,115手册
PSMN0R9-25YLC,115概述
PSMN0R9-25YLC,115 产品概述
PSMN0R9-25YLC,115 是由安世（Nexperia）公司生产的一款高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），该器件广泛应用于功率管理、开关电源、逆变器等多种电子电路中。该MOSFET在输入电压低至25V的条件下，能够承受巨大的连续漏极电流，展现出优异的导通性能和散热能力。
主要技术参数
漏源电压（Vdss）: 该MOSFET的漏源电压为25V，确保其能够安全、高效地操作在大多数低电压应用中。
连续漏极电流（Id）: 在25°C环境温度下，该MOSFET支持最大连续漏极电流为100A，这使得它能够处理高功率的应用场景。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 该参数为1.95V @ 1mA，表明MOSFET能够在相对低的电压下开启，降低了驱动电流的要求。
漏源导通电阻（Rds(on)）: 最大导通电阻为0.99mΩ（@ 25A, 10V），表明在开启状态下该器件能够保持很低的导通损耗，有助于提高电路的整体效率。
输入电容（Ciss）: 最大输入电容值为6775pF @ 12V，这一特性对于高频开关应用尤为重要，能够影响开关速度及损耗。
栅极电荷（Qg）: 栅极电荷最大值为110nC @ 10V，提供快速而有效的开关能力，满足高频开关的需求。
工作温度范围: 该器件的工作温度范围极广 (-55°C ~ 175°C)，适合于各种严苛环境下的应用。
封装类型: PSMN0R9-25YLC,115 采用LFPAK56 和 Power-SO8 封装，具有较好的热管理特性，便于表面贴装，减少空间占用。
应用领域
得益于其优异的电气特性，PSMN0R9-25YLC,115 可以在多个关键领域中发挥重要作用，包括但不限于：
- 开关电源 (SMPS): 在需要高效转换和稳定输出的场合，这款MOSFET被常用于整流和调节电流，显著提高系统效率。
- 电机驱动: 由于其高效率与高电流承载能力，该MOSFET常用于电机控制电路中，提供快速的开关速度和较低的热损耗。
- 电源管理: 同样适用于各种电源管理IC中，以提高电源等级转换的效率，减少能量浪费。
- 逆变器应用: 适合于太阳能逆变器和电动车驱动工程中，以确保高效和可靠的功率转换。
总结
PSMN0R9-25YLC,115 是一款高度先进的N沟道MOSFET，具备极佳的导电性、较低的导通电阻和广泛的应用灵活性。其设计充分考虑了现代电子电路对高效能和高可靠性的需求，是工程师选择的理想元件。无论是在高频交易还是高功率应用过程中，该器件都能提供卓越的性能表现，是高科技设计中的理想 选择。