直流反向耐压(Vr) | 40V | 平均整流电流(Io) | 3A |
正向压降(Vf) | 490mV @ 3A | 二极管类型 | 肖特基 |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 40V | 电流 - 平均整流 (Io) | 3A |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 490mV @ 3A | 速度 | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 200µA @ 40V | 不同 Vr、F 时电容 | 350pF @ 1V,1MHz |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOD-128 |
供应商器件封装 | CFP5 | 工作温度 - 结 | 150°C(最大) |
产品概述:PMEG4030EP,115
PMEG4030EP,115是一款高性能肖特基二极管,由Nexperia(安世)公司制造,具有卓越的电气特性,适合广泛的电子应用。作为一款表面贴装(SMD)器件,PMEG4030EP,115以其紧凑的SOD-128封装(CFP5)设计,使其在空间受限的应用中尤为受欢迎。其关键参数使其成为高效能电源管理、整流电路、逆变器及各种消费电子设备中的理想选择。
直流反向耐压(Vr): 该二极管具有极高的反向耐压为40V,能够满足许多高压应用的需求。这一参数确保了在反向导通状态下,PMEG4030EP,115能够安全可靠地工作,而不会发生失效或损坏。
平均整流电流(Io): 其平均整流电流为3A,允许其在高负载条件下工作时保持良好的性能。这一电流等级适合许多电源转换和整流应用,从而确保了其在常见电压和电流应用中的广泛适用性。
正向压降(Vf): PMEG4030EP,115在3A时的正向压降为490mV,这一低损耗特性降低了功率损失,有助于提高整体能效。此外,低压降还意味着在高效运行条件下,产生的热量相对较少,从而有效延长了设备的使用寿命。
逆向泄漏电流: 在40V的测试条件下,二极管呈现出200µA的反向泄漏电流,表明其在反向偏置条件下的极佳性能。这一特性尤其重要,在高频应用或低功耗设备中,较低的反向电流能有效减少漏电流引起的能耗。
结温: PMEG4030EP,115的最大工作结温达到150°C,这意味着它能够在高温环境中稳定工作,适合在严苛温度条件下的应用需求。
PMEG4030EP,115作为肖特基二极管,具备快速恢复特性,其恢复时间小于500纳秒。这一速度将有助于提高开关电源和高频电路的响应能力,提升整体系统效率。其350pF的电容特性(在1V和1MHz条件下测试)也使其在工作频率较高的应用中保持较低的开关损耗。
综合来看,PMEG4030EP,115是Nexperia(安世)制造的一款卓越肖特基二极管,其高反向耐压、低正向压降、低反向泄漏电流及快速恢复特性,使其在现代电子设计中具有广泛的应用潜力。无论是在高效电源转换、逆变器、汽车电子还是消费品领域,PMEG4030EP,115均提供了可靠的解决方案。其优越的性能和紧凑设计,使其成为当下许多工程师和设计师首选的器件之一。