PESD5V0S1BB,115
PESD5V0S1BB,115参数
| 极性 | Bidirectional | 峰值脉冲电流（10/1000us） | 12A |
| 箝位电压 | 14V | 击穿电压（最小值） | 5.5V |
| 反向关断电压（典型值） | 5V | 类型 | 齐纳 |
| 双向通道 | 1 | 电压 - 反向断态（典型值） | 5V（最大） |
| 电压 - 击穿（最小值） | 5.5V | 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值） | 14V |
| 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 12A（8/20µs） | 功率 - 峰值脉冲 | 130W |
| 电源线路保护 | 无 | 应用 | 通用 |
| 不同频率时电容 | 35pF @ 1MHz | 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-79，SOD-523 |
| 供应商器件封装 | SOD-523 |
PESD5V0S1BB,115手册
PESD5V0S1BB,115概述
产品概述：PESD5V0S1BB,115
PESD5V0S1BB,115 是一款由安世半导体(Nexperia)设计和制造的高性能瞬态电压抑制(TVS)二极管，专门用于保护敏感电子设备免受电气过压和瞬态浪涌电流的影响。该器件采用表面贴装封装（SOD-523），非常适合于现代小型电子设备的应用，能够有效地保护MCU、存储器、传感器等元器件。
主要特性
极性和类型：PESD5V0S1BB,115 采用双向设计，这使其在处理正向和反向过电压的情况下均能高效工作，是极性敏感应用的理想选择。作为齐纳二极管，其在反向偏置条件下能够确保稳定的击穿电压，避免瞬态电压损害电路。
电压和电流特性：该器件的反向断态电压典型值为5V，最小击穿电压为5.5V，在实际应用中能够有效地限制脉冲电压，确保电路的安全性。其峰值脉冲电流能力为12A（在10/1000µs脉冲情况下），使得PESD5V0S1BB,115 可以在高能量冲击下提供有效的保护。此外，其电压箝位在峰值脉冲电流情况下可以达到14V，进一步提升了保护效能。
频率特性：在1MHz频率下，PESD5V0S1BB,115 的电容值为35pF，确保其在高速信号传输中的良好兼容性，适合用于高速通信和数据传输线路。
环境耐受性：器件可在-65°C到150°C的广泛工作温度范围内稳定运行，使其适用于各种严苛环境下的电路保护需求。这一特性使得该二极管在工业、汽车及消费电子等领域中具有极强的适用性。
安装和封装：采用SOD-523封装形式，体积小巧，方便快速布局，特别适合高密度电子模块。其表面贴装设计也使得自动化生产和组装过程变得更加简便和高效。
应用场景
PESD5V0S1BB,115 的应用场景非常广泛，包括但不限于：
- 通信设备：用于防止信号线路的瞬态电压冲击，保护通信接口中的模块和电路。
- 消费电子：在智能手机、平板电脑等移动设备中提供静电和浪涌保护，确保用户体验的安全性与稳定性。
- 工业控制：在各种工业控制系统中，PESD5V0S1BB,115 用于对传感器输入输出端的过电压保护，降低故障率。
- 汽车电子：在汽车电子系统中的传感器和控制器提供瞬态电流及过电压保护，确保系统长期稳定运行。
总结
总而言之，PESD5V0S1BB,115 是一款高性能的瞬态电压抑制二极管，凭借其优越的电气特性和广泛的温度范围，成为电子设备保护领域的重要选择。无论是在现代通信、消费电子、工业控制还是汽车电子中，其卓越的性能均能有效维护设备的稳定性和安全性，为设计工程师提供了可靠的设计保障。通过选用PESD5V0S1BB,115，设计师能够更好地应对瞬态电压问题，为最终用户提供更优质的产品体验。