极性 | Unidirectional | 峰值脉冲电流(10/1000us) | 18A |
箝位电压 | 20V | 击穿电压(最小值) | 5.2V |
反向关断电压(典型值) | 3.3V (Max) | 类型 | 齐纳 |
单向通道 | 2 | 电压 - 反向断态(典型值) | 3.3V(最大) |
电压 - 击穿(最小值) | 5.2V | 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 20V |
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 18A(8/20µs) | 功率 - 峰值脉冲 | 330W |
电源线路保护 | 无 | 应用 | 通用 |
不同频率时电容 | 207pF @ 1MHz | 工作温度 | -65°C ~ 150°C(TA) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | TO-236AB |
产品概述:PESD3V3S2UT,215
一、基本信息
PESD3V3S2UT,215 是一款由知名半导体供应商 Nexperia(安世)生产的瞬态抑制二极管(TVS Diode),其主要设计目的是为电子设备提供有效的过压保护。该二极管具有单向结构,适用于保护电子线路免受脉冲电压和其他瞬态电流的影响,特别是在数据线、信号线以及电源线中的应用。
二、技术参数
三、应用场景
PESD3V3S2UT,215 主要应用于:
四、竞争优势
五、总结
PESD3V3S2UT,215 以其高峰值脉冲电流能力、广泛的工作温度范围以及出色的电压抑制性能,很好地满足了当前电子产品对瞬态电压保护的需求。无论是在家用电器、工业设备还是消费电子产品中,都是一种理想的保护组件。当今快速发展的电子市场对元器件的性能和可靠性提出了更高的要求,而PESD3V3S2UT,215无疑是满足这些要求的重要选择。