PDTC144ET,215 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

PDTC144ET,215

商品编码: BM0000288163
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
0.024g
描述 : 
数字晶体管 250mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置 SOT-23
库存 :
6000(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.487
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.487
--
200+
¥0.163
--
1500+
¥0.101
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

PDTC144ET,215参数

额定功率250mW集电极电流Ic100mA
集射极击穿电压Vce50V晶体管类型NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA电压 - 集射极击穿(最大值)50V
电阻器 - 基极 (R1)47 kOhms电阻器 - 发射极 (R2)47 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)80 @ 5mA,5V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)150mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值)1µA功率 - 最大值250mW
安装类型表面贴装型封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装TO-236AB

PDTC144ET,215手册

PDTC144ET,215概述

产品概述:PDTC144ET,215 数字晶体管


一、概述

PDTC144ET,215 是一款由 Nexperia(安世)制造的数字晶体管,属于 NPN 类型的预偏置晶体管。它的设计目的是为了在各种低功率应用中提供可靠的信号开关与放大功能。这款晶体管在广泛的电子电路中都可以找到应用,如信号处理、开关电路和高频应用等。


二、技术参数

  1. 基本参数

    • 额定功率:250mW
    • 集电极电流 (Ic):最大 100mA
    • 集射极击穿电压 (Vce):最大 50V
    • 额定电流增益 (hFE):在特定条件下最小值为 80,条件为 5mA 注入基极电流、5V 集电极-发射极电压。
    • 基极电阻 (R1):47 kΩ
    • 发射极电阻 (R2):47 kΩ
  2. 电压和电流特性

    • Vce 饱和压降:在集电极电流为 10mA、基极电流为 500µA 时,最大饱和压降为 150mV。
    • 集电极截止电流:最大值为 1µA,显示出其在关闭状态的优异特性。
  3. 封装和安装

    • 封装类型:SOT-23
    • 供应商器件封装:TO-236AB
    • 安装类型:表面贴装型(SMD),适合现代表面贴装技术的组装方式。

三、应用场景

PDTC144ET,215 晶体管在多种场合下均可发挥其优越的性能,尤其是在以下几种应用中:

  1. 低功耗数字电路:因其较低的功耗(最大 250mW),PDTC144ET,215 适用于低功耗电子设备中。
  2. 开关电路:凭借其快速开关能力,能够在较短的时间内切换电流,使其适合用于开关控制应用。
  3. 信号处理:在信号放大或转换应用中,PDTC144ET,215 也能够有效地处理稀疏信号。
  4. 驱动电路:可以作为微控制器和负载之间的接口,提高负载的驱动能力。
  5. 高频电路:由于其小尺寸和低失真特性,可以在高频信号处理电路中使用。

四、性能优势

  1. 高増益:在低基极电流条件下能够实现高集电极电流,符合多数开关与放大电路的设计需求。
  2. 低饱和压降:在工作的同时保持较低的饱和压降,有助于提高电路的整体效率。
  3. 适应性强:由于其广泛的电压和电流容限,能够在多种环境及条件下稳定工作。
  4. 小巧的封装:SOT-23 封装适合制作高集成度的电路设计,节省了PCB 板的空间。

五、总结

作为一款 Nexperia 提供的数字晶体管,PDTC144ET,215 能够高效、稳定地满足现代电子产品对于低功耗、高性能的需求。无论是在信号处理、开关控制还是高频应用中,它都能发挥出应有的优势,为设计人员提供了更多灵活性与可能性。其小巧的 SOT-23 封装以及高达 100mA 的集电极电流进一步扩大了它的应用范围,是工程师在电路设计时值得考虑的优质电子元件。