PDTC114EU,115
PDTC114EU,115参数
| 额定功率 | 200mW | 集电极电流Ic | 100mA |
| 集射极击穿电压Vce | 50V | 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1) | 10 kOhms | 电阻器 - 发射极 (R2) | 10 kOhms |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 150mV @ 500µA，10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 1µA | 功率 - 最大值 | 200mW |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
PDTC114EU,115手册
PDTC114EU,115概述
产品概述：PDTC114EU 和 PDTC115 数字晶体管
1. 产品简介
PDTC114EU 和 PDTC115 是由 Nexperia（安世）公司推出的高性能NPN型数字晶体管。这两款晶体管在设计上采用了预偏置结构，适合用于低功耗的电子电路中。它们的额定功率为200mW，集电极电流（Ic）最大可达100mA，具有50V的集射极击穿电压（Vce），成为数字电路和模拟电路中非常重要的组成部分。
2. 主要特性
- 额定功率：200mW，适合在小型和低功耗应用中使用。
- 集电极电流（Ic）：最大100mA，满足了大多数便携式电子设备及其内部器件的需求。
- 集射极击穿电压（Vce）：可达50V，提供了良好的抗干扰能力和工作稳定性。
- DC 电流增益 (hFE)：在Ic = 5mA和Vce = 5V的条件下，最小增益为30，能够有效放大输入信号。
- 饱和压降（Vce( sat )）：在集电极电流为10mA且基极电流为500µA的应用中，最大饱和压降为150mV，这对于降低功耗及提高效率至关重要。
- 集电极截止电流：在Vce = 50V时，最大截止电流为1µA，确保了在非导通状态下的低泄漏特性。
3. 电路设计与应用
PDTC114EU 和 PDTC115 的设计旨在满足现代数字和模拟电路的需求，可以被广泛应用于数码仪器、自动化设备、传感器接口以及信号处理等多个领域。其预偏置的特性使得这两款晶体管在低电压、低功耗应用中表现出色，尤其是在无源设备的控制电路中。基于其高电流增益和低饱和压降原理，使得PDTC114EU和PDTC115在提升信号品质和降低功耗方面表现得尤为出色。
4. 电路连接与封装
这款晶体管采用SOT-323封装，具有较小的尺寸，适合表面贴装技术（SMD）应用。其合理的封装设计确保了良好的散热性能，并且在多个安装位置上都可以轻松适配，不仅提高了电路的集成度，还降低了布线复杂度。电路连接中的基极（B）可以通过10 kOhm的基极电阻（R1）与控制电路相连；而发射极电阻（R2）同样为10 kOhm，能够稳定发射极工作点，增加电路的可靠性。
5. 竞争优势
在市场上，PDTC114EU 和 PDTC115 由于其高效能、电压范围及稳定性，较其他同类产品展现出明显的竞争优势。其优良的电气特性确保了在高频场合中具备可靠的性能。此外，Nexperia（安世）作为一个知名的半导体制造商，不仅能提供高质量的产品，还能确保其长期的市场供应和技术支持。
6. 小结
PDTC114EU 和 PDTC115 是非常适用于现代电子设备的数字晶体管，其预偏置设计、小功率消耗和高电流增益特点，使其在广泛的电路应用中具备不可替代的优势。无论是设计师还是工程师，在选择用于数字信号放大的低功耗解决方案时，这两款晶体管都是值得信赖的选择。