直流反向耐压(Vr) | 200V | 平均整流电流(Io) | 4A |
正向压降(Vf) | 840mV @ 4A | 二极管类型 | 肖特基 |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 200V | 电流 - 平均整流 (Io) | 4A |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 840mV @ 4A | 速度 | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) |
反向恢复时间 (trr) | 25ns | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 1µA @ 200V |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | PowerDI™ 5 |
供应商器件封装 | PowerDI™ 5 | 工作温度 - 结 | -65°C ~ 175°C |
PDS4200H-13是一款高性能的肖特基二极管,专为需要高效率和快速响应的电源应用而设计。该器件由DIODES品牌提供,封装类型为PowerDI™ 5,具有优异的热性能和小巧的结构,适合于表面贴装工艺。
PDS4200H-13具有多个显著特性,使其在不同的应用场景中脱颖而出:
高直流反向耐压: 该器件的最高直流反向耐压为200V,使其能够在高电压应用中稳定工作,减少因电压突变而损坏的风险。
优越的平均整流能力: 其4A的平均整流电流能够满足大部分中等功率的电源需求,适用于各种整流和电源管理应用。
低正向压降: 在4A的工作条件下,PDS4200H-13的正向压降仅为840mV,这意味着在开关功率损耗方面表现出色,可以提高整体系统效率。
快速恢复能力: 该器件的反向恢复时间为25ns,确保在高频率操作下的快速切换,极大地提高了电源的响应速度和开关效率。
极低的反向泄漏电流: 在200V的反向电压下,反向泄漏电流仅为1µA,这对于保护电路和提升电源性能是非常关键的。
宽广的工作温度范围: 从-65°C 到 175°C 的工作温度范围使PDS4200H-13能够在严苛的环境条件下稳定工作,适用于汽车、工业及航空航天等应用领域。
由于其优越的电气性能,PDS4200H-13广泛应用于多个领域,包括但不限于:
PDS4200H-13以其出色的性能参数和卓越的工作特性,适合多种高效、快速切换和高电压应用。无论是在电源设计、模块应用,还是在整流和保护电路中,这款肖特基二极管都能够为设计工程师提供可靠的解决方案,助力各种电子产品的性能提升。选择PDS4200H-13,意味着选择了一款耐用、高效且符合现代电子需求的先进元器件。