PBSS8110T,215
PBSS8110T,215参数
| 额定功率 | 480mW | 集电极电流Ic | 1A |
| 集射极击穿电压Vce | 100V | 晶体管类型 | NPN |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 1A | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 100V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 200mV @ 100mA，1A | 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 150 @ 250mA，10V | 功率 - 最大值 | 480mW |
| 频率 - 跃迁 | 100MHz | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | TO-236AB |
PBSS8110T,215手册
PBSS8110T,215概述
PBSS8110T,215 产品概述
PBSS8110T,215 是一款由安世半导体（Nexperia）生产的高性能NPN晶体管，采用SOT-23-3封装设计。该元器件专为低功耗和高频应用而设计，符合现代电子产品的多种需求。其具有优异的电气性能和极高的可靠性，使其在各类电子设备中的应用广泛，包括开关电源、信号放大器和电机驱动电路等。
主要参数
- 额定功率: 480mW
- 集电极电流 (Ic): 最大值为1A
- 集射极击穿电压 (Vce): 最大值为100V
- 工作频率: 可支持高达100MHz的跃迁频率
- 工作温度: 最大结温可达到150°C（TJ）
- 封装/外壳类型: SOT-23-3，符合标准表面贴装型（SMD）要求
电气特性
PBSS8110T,215 的设计保证了在多种工作条件下的稳定性和高效能。其集电极电流（Ic）最大值为1A，能够支持大于千毫安级的负载，适合用于需要较大驱动电流的应用。同时，其集射极击穿电压（Vce）高达100V，能够在高电压环境中安全工作。
为了提升开关效率，该晶体管的饱和压降（Vce(sat)）在不同的基极电流（Ib）和集电极电流（Ic）条件下，最大值为200mV，测试条件为100mA和1A。这一特性在开关转换应用中尤为重要，能够减少功耗，从而提高整体系统的效率。
PBSS8110T,215 的直流电流增益（hFE）在推荐工作条件下，至少可达到150，这使得该晶体管在信号放大时能够实现较高的增益，支持更多的应用场景。
应用场景
PBSS8110T,215 广泛应用于多个领域，特别是在便携式设备、工业自动化、汽车电子以及智能家居等应用中。其典型应用包括：
- 开关电源: 利用其高频特性和高电流能力，可在开关电源电路中实现高效能的能量转换。
- 信号放大: 由于其较高的hFE，PBSS8110T,215 可用于音频放大器和无线电发射器等信号处理应用。
- 电机驱动: 可作为电机控制电路中的开关元器件，提供所需的驱动电流。
- LED驱动: 适用于LED照明和指示灯设计，可以确保稳定的输出电流供给。
封装特点
SOT-23-3封装具有小型化、轻量化的优点，适用于密集的PCB设计，且表面贴装技术（SMT）使其易于自动化生产。该封装不仅优化了电路布局，还可减少PCB的占用空间，提升设备的整体性能和可靠性。
结论
PBSS8110T,215 是一款结合了高性能与可靠性的NPN晶体管，适用于多种现代电子应用。其在功率、频率、封装和电气特性方面的卓越表现，使其成为设计工程师的理想选择。无论是在提升开关电源效率，还是在信号放大和驱动应用中，PBSS8110T,215 都展现出了其出色的性能与价值，助力电子产品的不断创新与发展。