MMBT5401-7-F 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

MMBT5401-7-F

商品编码: BM0000288064
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
0.028g
描述 : 
三极管(BJT) 300mW 150V 600mA PNP SOT-23
库存 :
19858(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.592
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.592
--
200+
¥0.198
--
1500+
¥0.123
--
3000+
¥0.085
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

MMBT5401-7-F参数

额定功率300mW集电极电流Ic600mA
集射极击穿电压Vce150V晶体管类型PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)600mA电压 - 集射极击穿(最大值)150V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)500mV @ 5mA,50mA电流 - 集电极截止(最大值)50nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)60 @ 10mA,5V功率 - 最大值300mW
频率 - 跃迁300MHz工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23-3

MMBT5401-7-F手册

MMBT5401-7-F概述

MMBT5401-7-F 产品概述

概览

MMBT5401-7-F 是一款高性能的PNP型晶体管,专为小型化电子设备而设计。其极小的封装尺寸(SOT-23)使其适合在空间受限的应用中使用,能够在广泛的环境条件下稳定工作。这款晶体管能够承受高达150V的集射极击穿电压(Vce),并支持最大集电极电流为600mA,适合用于功率放大和开关应用。

主要规格

  • 额定功率: 300mW
  • 集电极电流 (Ic): 最大600mA
  • 集射极击穿电压 (Vce): 最大150V
  • 饱和压降 (Vce(sat)): 最大500mV @ 5mA及50mA
  • 电流 - 集电极截止 (ICBO): 最大50nA
  • 直流电流增益 (hFE): 最小60 @ 10mA,5V
  • 频率 - 跃迁: 300MHz
  • 工作温度: -55°C ~ 150°C
  • 封装类型: SOT-23 表面贴装型

特性与优势

  1. 高电压与高电流承受能力: MMBT5401-7-F 能够承受高达150V的电压和600mA的电流,适合在高压高流应用中的使用,特别是需要高电压开关的场合。

  2. 小尺寸封装: 采用SOT-23封装,使得该晶体管在电路设计中更加灵活,可以有效节省板面空间,特别适用于便携式设备和智能手机等紧凑型应用。

  3. 低饱和压降: 在5mA及50mA条件下,饱和压降仅为500mV,能够有效提高电路的能效,减少能量损耗,提升整体性能。

  4. 宽工作温度范围: 工作温度范围为-55°C至150°C,使其能够在极端环境下正常工作,增强了其在工业和汽车应用中的适应性。

  5. 良好的频率响应: 在300MHz的跃迁频率非常适合用于高频开关应用,例如射频放大器和无线通信设备。

应用场合

MMBT5401-7-F 是一款广泛适用于各种电子设备的晶体管,特别适合以下领域:

  • 消费电子: 例如便携式音频设备、智能手机及其周边设备。
  • 汽车电子: 由于其良好的工作温度范围和高电压承载能力,可以用于汽车控制单元,传感器及其它车载电子系统。
  • 电源管理: 在开关电源和稳压器中,可以作为开关元件和功率放大器使用。
  • 通信设备: 支持高频信号处理,可用于信号放大和调制解调器等应用。

结论

MMBT5401-7-F 是一款功能强大的PNP型晶体管,凭借其优越的电气特性和可靠的工作性能,得到了广泛的应用。无论是在消费类电子产品、汽车电子、还是通信领域,这款晶体管都能有效地满足高压高流及高频应用的需求,为设计师提供了极佳的选择。它的小型化设计和宽广的工作环境适应性,将为现代电子设计带来更多可能性。选择MMBT5401-7-F,您的设计将具备卓越的性能和可靠的稳定性。