额定功率 | 250mW | 集电极电流Ic | 200mA |
集射极击穿电压Vce | 40V | 晶体管类型 | PNP |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 200mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 40V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 400mV @ 5mA,50mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 50nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 10mA,1V | 功率 - 最大值 | 250mW |
频率 - 跃迁 | 250MHz | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | TO-236AB |
MMBT3906,215是一款高性能的PNP型双极晶体管(BJT),在电子元器件领域内应用广泛。其主要参数包括额定功率250mW,集电极电流Ic最大值达200mA,以及集射极击穿电压Vce最高可达40V。这款晶体管适合用于多种低功耗应用,特别是在需要高电流放大和开关的电路中表现优越。
MMBT3906,215采用TO-236AB封装,这种表面贴装型(SMD)外形小巧,适合在空间受限的电路板上安装。其封装型号包括TO-236-3、SC-59和SOT-23-3。紧凑的设计使其在提供高性能的同时,节省了电路板空间,有利于现代电子产品的设计趋向微型化和高密度集成。
MMBT3906,215具有250MHz的跃迁频率,这一特性使其能够支持高频率的信号处理应用,适合用于射频放大和开关电路。这使得它在现代数码电子以及无线通信设备中得到了广泛应用。
器件的工作温度范围可达到150°C的结温(TJ),使其在相对恶劣的环境条件下也能稳定工作。温度等级的提升意味着MMBT3906能在高温环境下保持可靠性,适用于汽车电子、工业控制等需要高温耐受的场合。
MMBT3906,215广泛应用于多个领域,包括但不限于:
MMBT3906,215是一款性能卓越的PNP型晶体管,凭借其优良的电参数、紧凑的封装及广泛的应用领域,成为电子设计工程师的理想选择。随着现代电子产品对小型化、优化功耗和提升性能的需求日益增长,这款晶体管无疑将在未来的电子设计中发挥重要作用。选择MMBT3906,215,您将获得稳定和高效的电子解决方案。