反向恢复时间(trr) | 50ns | 直流反向耐压(Vr) | 300V |
平均整流电流(Io) | 225mA | 正向压降(Vf) | 1.25V @ 200mA |
二极管配置 | 2 对串联 | 二极管类型 | 标准 |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 300V | 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管) | 225mA(DC) |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.25V @ 200mA | 速度 | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) |
反向恢复时间 (trr) | 50ns | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 100nA @ 240V |
工作温度 - 结 | -65°C ~ 150°C | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SOT-23-6 | 供应商器件封装 | SOT-26 |
MMBD3004BRM-7-F 是一款高性能的开关二极管,采用 SOT-26 表面贴装封装。该元器件由 DIODES(美台)公司出品,具备优异的电气性能和可靠性,适用于各种电子电路的开关、整流和快速恢复应用。
这些参数共同构成了 MMBD3004BRM-7-F 的核心功能,确保其在高压和高流应用中的表现非常可靠。
高耐压能力: 具备 300V 的直流反向耐压,使得该二极管可以在高压工作环境中运行,适用于电源变换器、逆变器等应用场景。
快速恢复特性: 反向恢复时间仅为 50 ns,相较于普通二极管,能有效降低开关损耗,提升电源效率,适合快速开关的应用需求。
较小的正向压降: 在 200 mA 的工作条件下,正向压降为 1.25V,能量损耗低,从而提高整体电路的效率。
散热性能优越: 工作温度范围从 -65°C 到 150°C,使该器件能够在极端温度环境中可靠工作。
小型化设计: SOT-26 封装,适合空间有限的PCB设计,方便用于现代电子设备的小型化需求。
低反向泄漏电流: 在高压情况下,反向泄漏电流为 100 nA @ 240V,确保在待机状态下的能量消耗极低,保持电路的高效性和稳定性。
MMBD3004BRM-7-F 在多种应用领域中展现出极高的适用性,包括:
MMBD3004BRM-7-F 二极管凭借其优秀的电气性能,如高耐压、低正向压降、快速恢复时间等,成为现代电子产品中不可或缺的关键元件。它在保证可靠性的同时,满足了高效能的需求,广泛应用于电源管理、开关电路和信号整流等领域,是工程师们在设计电子电路时值得信赖的选择。凭借其优良的性价比和小型化设计,MMBD3004BRM-7-F 适合各类电子产品的开发,有助于提升产品的市场竞争力。