MJD122T4 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

MJD122T4

商品编码: BM0000288056
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
DPAK
包装 : 
编带
重量 : 
0.475g
描述 : 
达林顿管 20W 100V 1000@4V,4A NPN TO-252-2(DPAK)
库存 :
7500(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
1.86
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.86
--
100+
¥1.44
--
1250+
¥1.25
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

MJD122T4参数

额定功率1.75W集电极电流Ic8A
集射极击穿电压Vce100V晶体管类型NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)8A电压 - 集射极击穿(最大值)100V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)4V @ 80mA,8A电流 - 集电极截止(最大值)10µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)1000 @ 4A,4V功率 - 最大值20W
工作温度150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63供应商器件封装DPAK

MJD122T4手册

MJD122T4概述

MJD122T4 产品概述

产品简介

MJD122T4 是一款高效能的 NPN 达林顿晶体管,广泛应用于各种高功率和高电流的电子电路当中。作为意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款先进器件,MJD122T4 结合了优异的性能和可靠性,可以在高达 150°C 的工作温度下保持稳定工作,适应严苛的环境条件。

主要特点

  • 额定功率: MJD122T4 可承受的最大功率为 20W,使其适合用于高功率应用场景。
  • 集电极电流: 最大集电极电流为 8A,这使得该晶体管非常适合于电机控制、继电器驱动以及其他高电流负载的应用。
  • 集射极击穿电压: 达到 100V 的高电压工作能力,可以有效地满足多种电源应用的需求。
  • Vce 饱和压降: 在 80mA 和 8A 测试条件下,Vce 饱和压降最大值为 4V,显示出晶体管在高负载下的低功耗特性,从而提高了整体效率。
  • DC 电流增益: 在 4A 的集电极电流和 4V 的饱和压降条件下,MJD122T4 实现了最低 1000 的 DC 电流增益,这对于需要高增益的放大器和开关电路显得尤为重要。

应用领域

MJD122T4 的设计使其适用于广泛的应用领域,包括但不限于:

  • 电源管理: 能够在开关电源和线性电源中用作功率开关,改善电源效率。
  • 电机控制: 在电机驱动电路中,MJD122T4 可用于控制直流电机及步进电机,提供精确的功率与速度调节。
  • 音频放大器: 作为音频功率放大器中的输出级,MJD122T4 提供高功率输出并保持良好的线性性能。
  • 继电器驱动: 可用作继电器的驱动器,适应需要较高电流的场景。

封装与安装

MJD122T4 采用 DPAK(TO-252-3)封装,设计为表面贴装型,便于自动化安装和空间限制的设计需求。其 compact 尺寸使其易于在高密度的电路板上布置,同时确保散热效果良好。

工作环境与可靠性

这款达林顿晶体管设计用于高温环境,工作温度可达 150°C,适合于工业及汽车等苛刻环境。低截止电流的特性(最大 10µA)确保在开关状态下的低功耗,从而提升整体系统的能效。

结论

MJD122T4 作为一款性能卓越的 NPN 达林顿晶体管,通过高集电极电流、低饱和压降和高电流增益特性,为各种高功率和电机控制应用提供了可靠的解决方案。无论是用于电源管理,还是高功率放大器,MJD122T4 都是设计工程师的理想选择,将助力实现高效、可靠和经济的电子产品。