额定功率 | 1.75W | 集电极电流Ic | 8A |
集射极击穿电压Vce | 100V | 晶体管类型 | NPN |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 8A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 100V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 4V @ 80mA,8A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 10µA |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 1000 @ 4A,4V | 功率 - 最大值 | 20W |
工作温度 | 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | 供应商器件封装 | DPAK |
MJD122T4 是一款高效能的 NPN 达林顿晶体管,广泛应用于各种高功率和高电流的电子电路当中。作为意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款先进器件,MJD122T4 结合了优异的性能和可靠性,可以在高达 150°C 的工作温度下保持稳定工作,适应严苛的环境条件。
MJD122T4 的设计使其适用于广泛的应用领域,包括但不限于:
MJD122T4 采用 DPAK(TO-252-3)封装,设计为表面贴装型,便于自动化安装和空间限制的设计需求。其 compact 尺寸使其易于在高密度的电路板上布置,同时确保散热效果良好。
这款达林顿晶体管设计用于高温环境,工作温度可达 150°C,适合于工业及汽车等苛刻环境。低截止电流的特性(最大 10µA)确保在开关状态下的低功耗,从而提升整体系统的能效。
MJD122T4 作为一款性能卓越的 NPN 达林顿晶体管,通过高集电极电流、低饱和压降和高电流增益特性,为各种高功率和电机控制应用提供了可靠的解决方案。无论是用于电源管理,还是高功率放大器,MJD122T4 都是设计工程师的理想选择,将助力实现高效、可靠和经济的电子产品。