MBR0520LT1G
MBR0520LT1G参数
| 直流反向耐压（Vr） | 20V | 平均整流电流（Io） | 500mA |
| 正向压降（Vf） | 385mV @ 500mA | 二极管类型 | 肖特基 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 20V | 电流 - 平均整流 (Io) | 500mA |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 385mV @ 500mA | 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 250µA @ 20V | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOD-123 | 供应商器件封装 | SOD-123 |
| 工作温度 - 结 | -65°C ~ 125°C |
MBR0520LT1G手册
MBR0520LT1G概述
MBR0520LT1G 产品概述
1. 产品介绍
MBR0520LT1G 是一款高性能肖特基二极管，由安森美半导体（ON Semiconductor）公司制造。该元器件充分利用了肖特基二极管的特性，在低正向压降和快速恢复能力方面表现出色，使其在各种应用中具有多种优势。其主要参数包括直流反向耐压（Vr）为20V，平均整流电流（Io）可达500mA，正向压降（Vf）为385mV（在500mA下测试），反向泄漏电流在20V时为250µA，适合那些需要高效率和快速开关特性的电路设计。
2. 关键技术参数
直流反向耐压（Vr）：该二极管的最大直流反向耐压为20V，能够承受较高的工作电压，对于需要较高电压稳定性的应用尤为重要。
平均整流电流（Io）：最大平均整流电流可达500mA，适合许多中等功率电子设备。该特性使其能够在多种电子电路中有效工作。
正向压降（Vf）：正向压降为385mV（在500mA时），这一较低的压降使得设备在运行时能量损耗更小，从而提高了整个电路的效率，尤其在电源管理、电池充电等场合。
反向泄漏电流：在20V的条件下，与传统硅二极管相比，MBR0520LT1G 的反向泄漏电流（250μA）显著更低，这意味着在高温环境中，其性能依然稳定，降低了电源系统的功耗。
速度性能：具备快速恢复特性，恢复时间小于等于500ns，尤其适合高频率开关电源设计和快速脉冲应用，能够有效提高电源转化效率和稳定性。
3. 封装与应用
MBR0520LT1G 采用SOD-123封装，具有小型化、节省空间的优势，适合于表面贴装应用，广泛应用于移动设备、便携式电子产品、家电、通信设备及工控设备等诸多领域。该封装设计不仅有助于提高生产效率，同时也便于设备的热管理。
4. 工作环境
该肖特基二极管的工作温度范围为-65°C到125°C，提供了极大的灵活性，可适用于各种恶劣工作环境。这种类型的工作温度性能对于工业应用至关重要，无论是在寒冷的环境还是在高温条件下，它均能够保证稳定工作。
5. 应用领域
MBR0520LT1G 主要应用于以下领域：
开关电源（SMPS）：凭借其高效率和快速恢复能力，特别适用于开关电源中的逆变器和整流电路。
电池充电器：由于其低正向压降和低反向泄漏流，适用于移动设备的电池充电器设计，有利于提高充电效率。
直流-直流转换器：在DC-DC转换器中，作为整流二极管使用，能够有效提升转换效率。
LED驱动电路：在LED驱动电路中，可以降低光源损耗，提高整体发光效率。
6. 总结
MBR0520LT1G 是一款非常出色的肖特基二极管，凭借其低正向压降、低反向泄漏电流和快速恢复特性，成为各种电子电路设计中的理想元件。无论是在手机、平板电脑，还是在各类电源管理和LED驱动应用中，MBR0520LT1G 都能够提供优异的性能，满足现代电子产品对效率与可靠性的要求。安森美（ON Semiconductor）以其稳健的技术背景和广泛的产品线，确保了该元件能在激烈的市场竞争中立足并继续发挥重要作用。