存储器类型 | 易失 | 存储器格式 | SRAM |
技术 | SRAM - 异步 | 存储容量 | 2Mb (256K x 8) |
存储器接口 | 并联 | 写周期时间 - 字,页 | 10ns |
访问时间 | 10ns | 电压 - 供电 | 3.135V ~ 3.6V |
工作温度 | 0°C ~ 70°C(TA) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) | 供应商器件封装 | 44-TSOP II |
IS61LV2568L-10TL是由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的一款高性能静态随机存取存储器(SRAM),设计用于各种数字电路系统。该器件以其卓越的存储密度、快速的访问速度和广泛的适用性,在嵌入式系统、数据缓存、图像处理等领域得到了广泛应用。
IS61LV2568L-10TL是一款易失性存储器,其存储容量为2Mb(256K x 8位),意味着它可以在一个存储单元中存储256K个字节的数据。作为SRAM器件,它提供了快速的读写能力,适合需要高频存取操作的应用场景。该器件采用异步SRAM技术,允许用户在任何时候进行读写操作,大大简化了控制逻辑的设计。
该器件的供电电压范围为3.135V至3.6V,使其在实际应用中具备良好的电源适应性。此外,其工作温度范围为0°C至70°C,能够确保在一般工业和商业环境下稳定运行。这样广泛的电气参数使得IS61LV2568L能够满足多种应用需求。
IS61LV2568L-10TL采用44-TSOP II封装,尺寸为0.400"(10.16mm宽),适合表面贴装(SMT)技术。该紧凑的封装设计使其适合高密度电路板布线,可以有效减小空间占用,满足现代设备对小型化和高集成度的要求。
IS61LV2568L-10TL被广泛应用于各种电子产品中,包括:
IS61LV2568L-10TL是一款技术先进的SRAM存储器,具备高存储容量、快速的访问和写入时间,适用于多种数字电路应用。其灵活的供电范围和工作温度允许在多种环境下使用。随着对高性能存储需求的持续增长,IS61LV2568L-10TL无疑是让设计工程师信赖的选择,能够为各种高科技产品带来可靠的数据存储解决方案。无论是在设计新产品,还是在升级现有系统时,这款SRAM都具备强大的竞争力。