安装类型 | 表面贴装型 | 逻辑电压 - VIL,VIH | 6V,9.5V |
驱动配置 | 半桥 | 输入类型 | 非反相 |
通道类型 | 独立式 | 驱动器数 | 2 |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 2.5A,2.5A | 栅极类型 | IGBT,N 沟道 MOSFET |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) | 上升/下降时间(典型值) | 25ns,17ns |
电压 - 供电 | 10V ~ 20V | 高压侧电压 - 最大值(自举) | 500V |
IRS2110STRPBF是一款高性能的半桥栅极驱动器,专为驱动IGBT和N沟道MOSFET设计,广泛应用于不同领域的电源转换和电机驱动系统。该产品采用表面贴装型(SMD)封装,配置为16引脚SOIC,满足现代电子设备对空间节约与性能高效的需求。
输入条件
输入电压逻辑阈值(VIL与VIH)分别为6V和9.5V,确保在高频操作下的可靠性与稳定性。IRS2110STRPBF的输入类型为非反相,允许用户在执行逻辑控制时提供较为直接的驱动信号。
驱动配置与输出能力
该驱动器配置为半桥结构,具备两个独立驱动通道,每个通道的峰值输出电流可达到2.5A,足以驱动大多数功率MOSFET和IGBT。设计有效降低了驱动功耗,并提高了开关效率。
电源与工作温度
供电电压范围为10V到20V,能够适应各种工业应用场景中的电源配置。同时,IRS2110STRPBF的工作温度范围广,支持-40°C到150°C的环境,从而能够在高温或严酷环境中稳定运行。
引脚和封装设计
该器件采用16引脚SOIC封装,方便PCB布局,适合于各种小型化设计需求。引脚排列经过精心设计,确保在焊接和应用时的可靠性。
自举能力与高压特性
IRS2110STRPBF具备高压侧电压在500V的最大限制,支持自举启动,适合高压应用场合,如高性能逆变器、开关电源等。独特的自举设计允许驱动器在高压侧操作而不依赖外部电源。
开关特性
该IC显示良好的开关性能,典型的上升时间为25ns,下降时间为17ns。这使得它在需要快速开关的应用中表现优异,特别是在电机控制和变频驱动系统中,减少了开关损耗和EMI干扰。
IRS2110STRPBF广泛应用于:
IRS2110STRPBF凭借其高压、可靠性与高效能的特点,不仅提升了系统的性能,还简化了设计过程。其广泛的应用领域与强大的驱动能力,使其成为许多现代电子和电力系统应用的理想选择。无论是在电动汽车、新能源发电,还是工业自动化设备中,IRS2110STRPBF都能提供卓越的解决方案,是提升系统性能的一项重要创建资产。