IRLML0100TRPBF
IRLML0100TRPBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 1.6A |
| 栅源极阈值电压 | 2.5V @ 25uA | 漏源导通电阻 | 220mΩ @ 1.6A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.3W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.6A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 220 毫欧 @ 1.6A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 25µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 2.5nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±16V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 290pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 1.3W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | Micro3™/SOT-23 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
IRLML0100TRPBF手册
IRLML0100TRPBF概述
IRLML0100TRPBF 产品概述
IRLML0100TRPBF是一款典型的N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），专为高效能和低功耗应用而设计，符合现代电子设备日益增长的性能要求。由英飞凌（Infineon）公司生产，该MOSFET具有出色的电气性能和广泛的应用场景，适用于开关电源、马达驱动、电池管理系统、消费电子及电力电子等多个领域。
关键技术参数
漏源电压 (Vdss): 最大为100V，能够满足多个高压电路的需求，适合在高电压条件下运行。
连续漏极电流 (Id): 在25°C环境温度下，额定的连续漏极电流为1.6A，保证了在一定负载下稳定输出。
栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 为2.5V @ 25µA，这一较低的阈值电压使得MOSFET能够在较低的驱动电压下快速导通，增加了电路的响应速度和控制精度。
漏源导通电阻 (Rds(on)): 在10V驱动电压下，导通电阻为220mΩ @ 1.6A，低导通电阻不仅减少了功率损耗，还提高了效率，延长了设备的使用寿命。
驱动电压: IRLML0100TRPBF支持4.5V至10V的驱动电压，适应多种控制电路设计。
输入电容 (Ciss): 最大值为290pF @ 25V，这一性能确保了在高频应用中的良好开关行为。
栅极电荷 (Qg): 最大值为2.5nC @ 4.5V，这对于快速切换的应用来说非常重要，因为低栅极电荷能有效降低开关损耗。
最大功率耗散 (Pd): 在25°C环境温度下，最大功率耗散能力为1.3W，有效支持高效能的功率管理设计。
工作温度范围: 可在-55°C ~ 150°C的宽温度范围内稳定工作，适合恶劣环境下的应用。
封装: 使用小尺寸的SOT-23（Micro3）封装，方便表面贴装，节省电路板空间。
应用场景
IRLML0100TRPBF广泛应用于多个领域，例如：
- 开关电源: 可用于DC-DC转换器和电源管理模块，提高转换效率与可靠性。
- 马达控制: 适合低功耗的马达调速和驱动电路，提供高效的开关控制。
- LED驱动: 在LED照明模块中用于开关调光，提供可靠的电源管理方案。
- 消费电子产品: 在手机、平板和笔记本电脑等设备中，用于电源管理和信号放大。
- 汽车电子: 适用于电动汽车的电源系统中，用于驱动马达和控制电源。
设计优势
IRLML0100TRPBF的设计考虑到了现代电子设备对效率、稳定性和空间优化的需求。其低导通电阻特性能够有效减少发热和功率损耗，从而提高了整体系统的效率。此外，宽广的工作温度范围使其适用于不同的操作环境，提高了通用性和适应性。
结论
总体而言，IRLML0100TRPBF是一款高效的N沟道MOSFET，具备优秀的电气特性和可靠的性能，适合多种应用场景。其小巧的封装、低导通电阻及宽广的工作温度范围，使其在现代电子设计中成为理想选择。无论是在功率管理、马达控制还是其他需要高效转换的应用中，IRLML0100TRPBF都能提供出色的解决方案，为设计师在开发下一代电子产品时提供强有力的支持。