IRLL110TRPBF
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
SOT-223-4
包装 :
编带
重量 :
0.303g
描述 :
场效应管(MOSFET) 2W；3.1W 100V 1.5A 1个N沟道 SOT-223
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
2.21按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.21
--
100+
￥1.71
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1250+
￥1.48
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRLL110TRPBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 1.5A |
| 栅源极阈值电压 | 2V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 540mΩ @ 900mA,5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.5A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4V，5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 540 毫欧 @ 900mA，5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 6.1nC @ 5V | Vgs（最大值） | ±10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 250pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 2W（Ta），3.1W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-223 | 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
IRLL110TRPBF手册
IRLL110TRPBF概述
产品概述：IRLL110TRPBF N沟道MOSFET
一、基本信息
IRLL110TRPBF是由知名电子元器件制造商VISHAY（威世）推出的一款高性能N沟道MOSFET。该元器件采用SOT-223封装，具有紧凑的尺寸和高效的功率处理能力，广泛应用于各类电子电路，特别是在开关电源、低功耗电源管理及高频逆变器等场合。
二、主要参数
- 漏源电压（Vdss）: 最高可达100V，确保在高压应用电路中的稳定性与可靠性。
- 连续漏极电流（Id）: 在25°C环境下，IRLL110TRPBF可持续承载1.5A的漏极电流（在Tc环境下更高）。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 在250µA的测试条件下，阈值电压为2V，显示出其在低电压驱动下的高效开关特性。
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 在900mA电流和5V电压下，导通电阻为540mΩ，具有出色的导电性能，帮助降低功耗。
- 最大功率耗散: 在25°C环境下可达2W，Tc下可达3.1W，适用于高功率密度的应用场景。
- 工作温度范围: 从-55°C到150°C，IRLL110TRPBF可以在极端环境条件下稳定工作。
- 栅极电荷（Qg）: 最大栅极电荷为6.1nC，确保在开关转态时，快速响应能力和低驱动功率。
三、应用领域
IRLL110TRPBF适用于多种应用场景，包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）：因其较小的导通电阻，能够有效降低开关损耗，提高整体系统效率。
- 电机驱动电路：用于逆变器和高效电机驱动，尤其在需要快速开关能力和高效率的场合。
- 负载开关：在电源管理中，可以作为高侧或低侧开关，有效控制电流的流向。
- 电池管理系统：助力实现高效充电及放电管理，延长电池使用寿命。
四、封装与安装
IRLL110TRPBF采用SOT-223封装，该封装类型的优势在于其较小的体积和良好的热导性，适合于表面贴装，与自动化生产线兼容性强，易于集成。
五、综合优势
IRLL110TRPBF N沟道MOSFET以其优秀的电气特性和可靠性，在各种高要求的应用中表现出色。其低导通电阻和高耐压能力使其成为各种电源应用、功率转换及管理系统的理想选择。此外，广泛的工作温度范围和高功率处理能力，也满足了现代电子设备对于可靠性和稳定性的需求。
六、总结
作为一款由VISHAY（威世）制造的高效N沟道MOSFET，IRLL110TRPBF凭借其优异的性能特点和多样的应用潜力，成为众多工程师在设计过程中常见的选择。它在提供高效能的同时，也保证了良好的散热性能和环境适应性，必将为电子系统的优化和提升带来重要贡献。无论是在消费电子、工业设备还是电源管理领域，IRLL110TRPBF都是一款值得信赖的元器件，为电子产品的成功运作提供了坚实的基础。