IRFU320PBF
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
包装 :
管装
重量 :
1.057g
描述 :
场效应管(MOSFET) 2.5W；42W 400V 3.1A 1个N沟道 TO-251
库存 :
7495(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
2.9按整 :
管(1管有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.9
--
100+
￥2.33
--
750+
￥2.08
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1500+
￥1.95
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30000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRFU320PBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 400V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 3.1A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 1.8Ω @ 1.9A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2.5W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.1A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.8 欧姆 @ 1.9A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 20nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 350pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），42W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-251AA | 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
IRFU320PBF手册
IRFU320PBF概述
IRFU320PBF 产品概述
产品简介
IRFU320PBF 是一种高性能的 N 沟道 MOSFET，专为高压、高电流的应用场景而设计，具有极佳的导电能力和低导通电阻。该产品的额定漏源电压（Vdss）达到 400V，能够满足众多工业和消费类电子设备在电气隔离方面的需求。其连续漏极电流（Id）可达 3.1A，适合多种功率转换和开关电源设计。
基本参数
- 漏源电压（Vdss）：400V
- 连续漏极电流（Id）：3.1A (25°C条件下)
- 栅源阈值电压（Vgs(th)）：4V @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）：1.8Ω @ 1.9A, 10V
- 最大功率耗散：2.5W (在环境温度 25°C)；42W (在结温 Tc)
- 工作温度范围：-55°C ~ 150°C
- 封装类型：TO-251AA（通孔封装）
结构与技术
IRFU320PBF 采用金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）技术，其结构保证了在高频、高效率应用中的优越性能。该器件具有良好的输入电容特性（Ciss 最大值为 350pF @ 25V），使其在快速开关操作中保持低的开关损失。此外，器件的栅极电荷（Qg）为 20nC @ 10V，确保有效的驱动和快速响应能力。
应用领域
得益于其高额定电压和电流，IRFU320PBF 广泛应用于各种电源管理、电机驱动和开关电源等领域。它特别适用于要求高效率和低发热的场合，如：
- 开关电源供应（SMPS）
- 脉宽调制（PWM）驱动电路
- 高频逆变器
- 电动机驱动装置
- 电子负载和电源转换器
性能优势
- 优越的导通性能：低导通电阻使得该 MOSFET 在工作中能显著降低导通损耗，提高效率。
- 高温稳定性：其工作温度范围广且具有较高的功率耗散能力，因此适合在恶劣环境下或高温条件下工作。
- 简化的驱动需求：相对较低的栅极驱动电压阈值和缓慢的栅极电荷使得设计更加简便，驱动电路的设计不那么复杂。
封装与易用性
IRFU320PBF 采用 TO-251AA 封装，适合通孔安装，能够很好地与PCB焊接。短引线设计有助于降低寄生电感，提高电路性能。制造商“VISHAY”作为行业领导者，其产品的可靠性和一致性在市场上广受认可。
总结
IRFU320PBF 是一款高效、可靠的 N 沟道 MOSFET，适合多种电源和开关应用。凭借其优越的性能、广泛的工作温度范围和简化的驱动要求，该器件不仅提升了电路设计的灵活性，也提高了系统的整体效率。无论是在工业应用还是消费电子中，IRFU320PBF 都是一个理想的选择，适合追求高性能、高可靠性的设计方案。