IRFU220NPBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
TO-251AA(IPAK)
包装 :
管装
重量 :
1.057g
描述 :
场效应管(MOSFET) 43W 200V 5A 1个N沟道 TO-251(IPAK)
库存 :
75(起订量1,增量1)
批次 :
20+数量 :
X
2.11按整 :
管(1管有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.11
--
100+
￥1.7
--
750+
￥1.51
--
1500+
￥1.42
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3000+
￥1.36
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18000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRFU220NPBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 200V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 5A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 600mΩ @ 2.9A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 43W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 600 毫欧 @ 2.9A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 23nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 300pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 43W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | IPAK（TO-251） | 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
IRFU220NPBF手册
IRFU220NPBF概述
产品概述：IRFU220NPBF
概述
IRFU220NPBF 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，专为需要高效率、高功率处理能力的应用而设计，具有 200V 的漏源电压（Vdss）和 5A 的连续漏极电流（Id）。该器件采用 TO-251（IPAK）封装，提供了卓越的散热性能和良好的电气特性，是许多电源管理和开关电路的理想选择。
关键特点
- 漏源电压（Vdss）: 最高可达 200V，使其适用于高压应用场景。
- 连续漏极电流（Id）: 在 25°C 时可提供 5A 的连续电流，具备良好的功率处理能力。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 最低 4V 的开启电压使其能够在标准电压下有效开关，降低了开关损耗。
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 在 10V 驱动下以及 2.9A 电流下，导通电阻最大为 600mΩ，保证了低能量损耗和高效的导通能力。
- 输入电容（Ciss）: 最大输入电容为 300pF @ 25V，适合高速开关操作，能够与不同频率的驱动信号良好匹配。
- 栅极电荷（Qg）: 最大栅极电荷为 23nC，在10V的驱动电压下，能够实现快速的开关响应。
- 工作温度范围: -55°C 到 175°C 的宽温度范围，确保了其在各种极端环境下的可靠运行。
- 最大功率耗散: 可达到 43W，确保能够在高功率应用下长时间稳定工作。
应用领域
IRFU220NPBF 的设计使其非常适合于多种工业和消费类电子产品，包括：
- 电源转换器和开关电源
- DC-DC 转换器
- 器件保护电路
- 马达驱动应用
- UPS（不间断电源）系统
- 家电控制电路
性能优势
IRFU220NPBF 采用先进的金属氧化物半导体技术，提供了低导通电阻和高开关速度，减少了由于导通损耗与开关损耗所造成的能量浪费，从而实现高效率的功率转换。其高达 43W 的功率耗散能力及优越的热管理性能，确保在高负载及高温环境条件下的长期可靠性。
总结
作为 Infineon（英飞凌）推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，IRFU220NPBF 以其优秀的电气特性、宽广的工作温度范围和多样的应用场景，使其成为现代电源设计中不可或缺的元件。无论是在工业自动化设备、汽车电子还是家庭电器中，IRFU220NPBF 都能提供稳定、可靠的性能，是开发高效能电子产品的理想选择。