注：图像仅供参考，请参阅产品规格
IRFR9N20DTRPBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
TO-252-3(DPAK)
包装 :
编带
重量 :
0.481g
描述 :
场效应管(MOSFET) 86W 200V 9.4A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
3.25按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.25
--
100+
￥2.71
--
1000+
￥2.46
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRFR9N20DTRPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9.4A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 380 毫欧 @ 5.6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 27nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 560pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 86W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D-Pak |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
IRFR9N20DTRPBF手册
无数据
IRFR9N20DTRPBF概述
产品概述：IRFR9N20DTRPBF - N沟道MOSFET
一、产品简介
IRFR9N20DTRPBF是英飞凌公司推出的一款高性能N沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），其设计方案专注于高电压、高电流的应用，为现代电子电路提供优异的开关性能和热管理能力。该器件被封装在TO-252-3（D-Pak）封装中，便于表面贴装，广泛应用于电源管理、逆变器、马达驱动等高效率和高可靠性工作环境。
二、关键特性
电气参数：
- 漏源电压（Vdss）：200V，适用于高电压应用。
- 连续漏电流（Id）：9.4A（Tc），在25°C环境下表现出色，能有效承载高电流负载。
- 驱动电压：适用于10V的特定应用条件，能够提供最低的Rds(on)值。
- 最大导通电阻（Rds(on)）：在5.6A，10V条件下，Rds(on)的最大值为380毫欧，确保高效率的能量传递。
- 阈值电压（Vgs(th)）：最大值为5.5V（@250µA），可提供更好的驱动兼容性。
- 栅极电荷（Qg）：最大27nC（@10V），意味着在驱动时的损耗较小，从而提高开关效率。
- 输入电容（Ciss）：560pF（@25V），使得器件在频率较高的应用中表现出色。
热性能：
- 功率耗散（Ptot）：最大值为86W（Tc），在多种工作条件下能有效散热，有助于延长器件的使用寿命。
- 工作温度范围：-55°C ~ 175°C（TJ），具备出色的环境适应性，适用于极端工作环境。
封装与安装：
- 封装类型：TO-252-3（D-Pak），便利的表面贴装配置，适合自动化生产线。
- 引线配置：2个引线加接片设计，确保紧凑布线，适用现代电路的空间限制。
三、应用领域
IRFR9N20DTRPBF广泛应用于以下领域：
- 电源供应：可用于开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）与DC-DC转换器中。
- 马达控制：高电流和高电压特性使它在电机驱动和控制中表现突出，适用于工业、家电和电子设备的马达控制。
- 逆变器：适用于光伏与风能逆变器等可再生能源解决方案，具有高效率和高功率密度的优势。
- 负载开关：可作为电路中的负载开关实现高效控制，确保持久稳定的开关响应。
四、总结
IRFR9N20DTRPBF是英飞凌公司为满足当今高性能电子应用需求而设计的N沟道MOSFET，其高漏电压、高连续漏电流以及优秀的功率耗散特性，确保其在多个领域中无与伦比的性能和可靠性。同时，其优雅的TO-252-3封装设计使得安装和集成变得便利，助力工程师在设计高效率产品时实现更大的灵活性与可能性。无论是在电源管理、马达控制还是逆变器应用中，IRFR9N20DTRPBF都将是您理想的选择。