IRFR024NTRPBF
IRFR024NTRPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 55V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 17A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 75 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 20nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 370pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 45W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D-Pak |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
IRFR024NTRPBF手册
IRFR024NTRPBF概述
产品概述：IRFR024NTRPBF N通道MOSFET
基本信息
IRFR024NTRPBF是一款高性能的N通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由知名电子元器件制造商英飞凌（Infineon）生产。本器件专为需要高电流和高电压的应用而设计，适用于电源管理、电机驱动、轨道供电和其他高功率电子设备。
关键参数
漏源电压（Vdss）: 本器件具备高达55V的漏源电压能力，使其能够在高电压系统中可靠工作，适应各种电源转换需求。
连续漏极电流（Id）: 在25°C的环境温度下，本MOSFET可以持续承载高达17A的漏电流，这意味着它能高效驱动多种负载，是高功率应用的理想选择。
导通电阻（Rds On）: 在10A和10V的驱动情况下，其导通电阻最大值为75毫欧，提供了出色的电流导通能力，极大减少了功率损耗，提高了系统效率。
门源阈值电压（Vgs(th)）: 本器件的Vgs(th)最大值为4V（@250µA），该值意味着在较低的栅极驱动电压下即可开启MOSFET，非常适合低功耗控制电路。
门极电荷（Qg）: 在10V的驱动条件下，门极电荷最大为20nC，低门电荷特性能够获得快速开关响应，降低了开关损耗，适用于高频应用。
工作温度范围: IRFR024NTRPBF的工作温度范围广泛，涵盖-55°C至175°C，确保在极端环境条件下也能稳定运行，具有很高的可靠性。
功率耗散能力: 该元器件的最大功率耗散为45W（在局部环境下计算的结温），此特性使其能够处理大功率的应用，而无需过度的冷却措施。
封装信息
IRFR024NTRPBF采用D-Pak（TO-252-3）封装，具有良好的热性能和易于表面贴装的优势。这种封装设计能够有效的传导热量，减少结温，确保器件在高负载条件下的可靠性。同时，这种小型化的封装形式也有助于缩小整体电路板尺寸，提高设计的灵活性。
应用领域
得益于其高电压、高电流和低导通电阻的特性，IRFR024NTRPBF适合于多种应用场景，包括但不限于：
电源管理: 该MOSFET在DC-DC转换器、开关电源等电源管理系统中表现卓越，能够实现高效能的能量转换。
电机驱动: 在电机控制应用中，形成高效驱动电路，对于电机启动、调速和逆变驱动具有重要意义。
电力转换器: 在UPS（不间断电源）和其它电力系统中，IRFR024NTRPBF可用作主要的开关器件，实现高效稳定的电力供应。
LED驱动电路: 其高电流处理能力使其适合用于高功率LED照明产品，与其他元件配合使用可实现出色的照明效果。
总结
综上所述，IRFR024NTRPBF是一款兼具高性能与高可靠性的N通道MOSFET，凭借其卓越的技术参数和广泛的应用范围，非常适合电源管理、驱动控制等高功率电子产品。无论您是在设计新产品，还是需要升级现有电路，IRFR024NTRPBF都是值得选用的理想解决方案。