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IRFPS37N50APBF
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
SUPER-247™（TO-274AA）
包装 :
管装
重量 :
8.667g
描述 :
通孔-N-通道-500V-36A（Tc）-446W（Tc）-SUPER-247™（TO-274AA）
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
70.32按整 :
管(1管有500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥70.32
--
10+
￥63.94
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRFPS37N50APBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 500V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 36A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 130mΩ @ 22A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 446W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 36A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 130 毫欧 @ 22A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 180nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5579pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 446W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | SUPER-247™（TO-274AA） | 封装/外壳 | TO-274AA |
IRFPS37N50APBF手册
无数据
IRFPS37N50APBF概述
产品概述：IRFPS37N50APBF
概述
IRFPS37N50APBF 是由威世（VISHAY）生产的一款高性能 N 通道 MOSFET，具有优异的漏源电压和连续漏极电流参数。此器件特别适合于电源管理、电机驱动、逆变器以及其他需要高效开关的应用场景。其最大漏源电压为500V，连续漏极电流高达36A，能够满足多个工业和消费类电子设备的需求。
基本参数
- 漏源电压（Vdss）: 500V
- 连续漏极电流（Id，25°C时）: 36A
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 4V @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 130mΩ @ 22A，10V
- 最大功率耗散（Tc=25°C）: 446W
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
技术特点
IRFPS37N50APBF MOSFET 基于最先进的金属氧化物半导体技术设计而成，具备高效能和可靠性的特点。其导通电阻在 10V 驱动电压下仅为 130 毫欧，能够在高负载情况下减少功耗和热量生成，从而提高系统效率。
一个显著的特点是其优越的栅极电荷（Qg），在10V时，可达到180nC。这一低电荷特性使得器件在开关频率较高的应用中变得更加高效，从而减少了开关损耗和干扰。该器件的输入电容（Ciss）为5579pF @ 25V，确保其能够在宽频带内以高速度切换。
应用场景
IRFPS37N50APBF MOSFET 拥有广泛的应用领域，特别适用于：
- 电源转换器：如DC-DC 转换器、AC-DC 适配器等。
- 电机控制：用于无刷直流电机（BLDC）和步进电机驱动电路。
- 逆变器：在太阳能逆变器和其他可再生能源应用中，能有效提升能量转换效率。
- 开关电源：在高频开关供应电源设计中展现出优异性能。
封装和安装
IRFPS37N50APBF 采用超级 247（TO-274AA）封装，适用于通孔安装。这种封装样式提供了良好的散热性能，方便与散热片结合使用，确保MOSFET在高功率操作中保持稳定温度。此外，TO-274AA 封装的结构设计允许简化布局和布线，提高整体电路板密度。
结论
凭借其卓越的性能参数和多样化的应用能力，VISHAY 的 IRFPS37N50APBF N 通道 MOSFET 无疑是现代电子设计中的理想选择。无论是在电源控制、电机驱动还是逆变器中，其高效表现和可靠性都将极大推动电子设备的性能优化，满足市场对高效能、高可靠性元器件的需求。选择 IRFPS37N50APBF，便是选择了一种卓越的解决方案，为下一代电子产品的发展奠定基础。