IRFP240PBF
IRFP240PBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 200V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 20A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 180mΩ @ 12A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 150W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 180 毫欧 @ 12A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 70nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1300pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 150W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 | 封装/外壳 | TO-247-3 |
IRFP240PBF手册
IRFP240PBF概述
IRFP240PBF 产品概述
一、产品简介
IRFP240PBF是VISHAY（威世）制造的一款高功率N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其具有高达200V的漏源电压、连续漏极电流可达20A、最大功率耗散150W的卓越性能。这款MOSFET广泛应用于各种高效能电源管理、电机控制、开关电源及其他高功率转换应用中，是电力电子行业不可或缺的基础元器件。
二、关键参数
漏源电压（Vdss）: 200V
IRFP240PBF支持的最大漏源电压为200V，使其能够在高电压环境下稳定运行。连续漏极电流（Id）: 20A（在25°C时）
该产品可承受的最大连续漏电流为20A，相较于许多同类产品，其电流承载能力较强，适合用于需要高电流驱动的应用。栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 4V @ 250µA
临界栅源电压使得MOSFET在低电压下同样能够工作，保证了电路的启动性和可靠性。导通电阻（Rds(on)）: 180mΩ @ 12A, 10V
低导通电阻使得在导通状态下产生的功耗降至最低，从而提升了系统的能效。最大功率耗散（Pd）: 150W（在25°C时）
随着热管理的合理设计，该MOSFET能够在高功率应用中继续高效工作。工作温度: -55°C ~ 150°C
宽广的工作温度范围确保了该MOSFET在极端环境条件下的可靠性和稳定性。封装类型: TO-247-3
作为一种通孔封装的MOSFET，可以实现良好的散热性能和电气连接。
三、应用场景
IRFP240PBF特别适合用于以下应用：
- 开关电源: 高效率的电源转换，特别适用于AC-DC适配器、DC-DC转换器等。
- 电机驱动: 负责控制大功率电机的电流，广泛用于工业自动化、家电及电动车辆中。
- 电力转换: 实现直流电源管理和变换，通过高效的开关技术降低能耗。
- 热管理系统: 与散热器结合使用，适用于高功率电子设备中，提高能量利用率。
四、技术优势
高可靠性: 该MOSFET具备出色的温度稳定性，极宽的工作温度范围和高压耐受性能够应对各种复杂的工作环境，确保器件的长久稳定性。
高效性能: 低导通电阻和较小的栅极电荷值实现了低功耗和高效能转换，满足高频开关需求，降低系统发热量。
易于驱动: 不同的栅极电压（Vgs）设定使得该MOSFET可以与多种控制电路兼容，简化了电路设计的复杂性。
五、结论
IRFP240PBF作为一款高效能、可靠的N沟道MOSFET，在电源管理及电机控制方面提供了极佳的性能。凭借其高漏源电压、高电流承载能力和低功耗等优良参数，IRFP240PBF成为众多工程师在设计电力电子系统时的首选组件。同时，其广泛的应用适应性和可靠性，使其在电力电子行业中占据了重要地位。选用IRFP240PBF，能够为各种应用提供可持续的、高性能的解决方案。