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IRFP22N50APBF
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
TO-247-3
包装 :
管装
重量 :
1g
描述 :
场效应管(MOSFET) 277W 500V 22A 1个N沟道 TO-247-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
14.45按整 :
管(1管有500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥14.45
--
10+
￥12.46
--
500+
￥11.87
--
5000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRFP22N50APBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 500V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 22A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 230 毫欧 @ 13A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 120nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3450pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 277W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
IRFP22N50APBF手册
无数据
IRFP22N50APBF概述
产品概述: IRFP22N50APBF
一、基本信息
IRFP22N50APBF 是一款高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)，由知名制造商 VISHAY（威世）生产。该器件具备卓越的电气性能，广泛应用于高压开关、电机驱动、DC-DC 转换器和其他高功率应用中。
二、技术规格
- FET 类型: N 通道
- 技术: MOSFET（铝氧化物半导体）
- 漏源电压 (Vds): 最高 500V，适合高电压环境
- 连续漏极电流 (Id): 22A（在最大结温 Tc 下）
- 导通电阻 (Rds(on)): 最大 230 毫欧 @ 13A，10V
- 栅极源电压 (Vgs): 最大 ±30V，确保安全操作范围
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大 4V @ 250µA，表明器件启动所需的最低栅极源电压
- 栅极电荷 (Qg): 最大 120nC @ 10V，低栅极电荷有利于提高开关频率
- 输入电容 (Ciss): 最大 3450pF @ 25V，为驱动电路的选择提供灵活性
- 功率耗散 (Pd): 最大 277W（在结温 Tc 下），确保在高功率环境下的可靠性
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C（TJ），适用于严苛环境
- 封装: TO-247-3，适应各种PCB设计
三、应用领域
IRFP22N50APBF 的设计使其在众多应用中表现出色，包括但不限于：
- 开关电源: 在高效能开关电源中，该 MOSFET 可以用作开关元件，具有较低的导通电阻和高电压承受能力，确保高效率。
- DC-DC 转换器: 用于降压或升压转换电路，能够处理高频开关，降低系统损耗。
- 电机驱动: 在工业自动化、电动车辆和家电中，IRFP22N50APBF 可用于高效率的电机驱动，确保动力输出。
- 高压应用: 适用于需要高电压保护的电路，例如逆变器和高压直流输电系统。
四、元器件优势
- 高效能: 该 MOSFET 具有极低的 Rds(on)，在开关过程中提供较低的功耗，显著提高系统整体效率。
- 广泛的工作温度范围: 其宽温度范围（-55°C 到 150°C）使其能够在严苛环境下稳定工作，适合许多工业和商用应用。
- 较高的功率处理能力: 277W 的最大功率耗散能力意味着该元器件能够处理高功率应用而不容易出现热失效。
- 易于驱动: 最大 10V 的驱动电压和 120nC 的栅极电荷使得其能够轻松与低功耗驱动电路配合，简化设计。
五、选型建议
在选择 IRFP22N50APBF 作为设计中的元器件时，建议检视应用的具体要求，确保其电气特性满足电路需求。同时，考虑其封装尺寸（TO-247-3）与PCB空间的适应性，以便更高效地进行元器件布局。
结论
总之，IRFP22N50APBF 是一款兼具高电压、高电流处理能力和出色热管理性能的 MOSFET，适合于各种高功率和高效率应用。无论是在开关电源、电机驱动还是其他高压应用中，其卓越的性能都能为工程师提供可靠的解决方案，助力各类电气装置的成功实现。