IRFP150MPBF 产品实物图片
IRFP150MPBF 产品实物图片
商品图片1
商品图片2
商品图片3
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IRFP150MPBF

商品编码: BM0000287944
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
TO-247AC
包装 : 
管装
重量 : 
8.2g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 160W 100V 42A 1个N沟道 TO-247AC-3
库存 :
25(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
3.41
按整 :
管(1管有400个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.41
--
50+
¥2.62
--
400+
¥2.18
--
4000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRFP150MPBF参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)100V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)42A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)36 毫欧 @ 23A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)110nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1900pF @ 25V
功率耗散(最大值)160W(Tc)工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型通孔供应商器件封装TO-247AC
封装/外壳TO-247-3

IRFP150MPBF手册

empty-page
无数据

IRFP150MPBF概述

产品概述:IRFP150MPBF N通道MOSFET

概述

IRFP150MPBF是由英飞凌(Infineon)生产的一款高性能N通道金属氧化物场效应管(MOSFET),其优异的电气特性和高功率处理能力使其在各种应用中都表现出色。该器件支持高达100V的漏源电压,具有出色的连续漏极电流能力(42A),适合用于高效能电源管理、逆变器、马达驱动器等多种应用。

电气参数

  1. 漏源电压(Vdss): IRFP150MPBF的最大漏源电压为100V,使其能够处理较高的电压环境。
  2. 连续漏极电流(Id): 在25°C的环境温度下,该器件的最大连续漏极电流为42A,适合需要高电流驱动的应用场景。
  3. 栅源电压(Vgs): 最大栅源电压为±20V,支持多种驱动电平,增加了设计的灵活性。
  4. 导通电阻(Rds On): 在10V的栅源电压下,该器件的Rds On为36毫欧,尤其在大电流下能有效降低功耗和发热,提升整体效率。
  5. 阈值电压(Vgs(th)): 最大阈值电压为4V(在250μA条件下),便于判定MOSFET的开启状态。
  6. 栅极电荷(Qg): 最大栅极电荷为110nC,确保快速的开关速度,适合高频应用。
  7. 输入电容(Ciss): 最大输入电容达到1900pF,为提供稳定的开关特性提供了基础。
  8. 功率耗散: 最大功率耗散为160W(Tc),适应高负载或高温环境下的工作。

温度评估

IRFP150MPBF的工作温度范围为-55°C到175°C,具备极高的温度适应性,适合恶劣环境下的应用,如汽车电子、工业设备以及航空航天等领域。

封装与安装

该器件采用TO-247AC封装,具备良好的散热性能并支持方便的通孔安装方式,简化了PCB板的布局。这种封装能够有效降低芯片工作时的热升高,提升MOSFET的可靠性。

应用领域

IRFP150MPBF广泛应用于众多领域,包括但不限于:

  • 开关电源: 用于DC-DC转换器、AC-DC适配器等。
  • 电机驱动: 在直流电机和步进电机驱动电路中,IRFP150MPBF可提供足够的电流和效率。
  • 逆变器: 在光伏发电和UPS系统中应用,提供可靠的高电压转换支持。
  • 汽车电子: 在汽车控制系统中,承担负载开关、减速器和其他电气设备驱动的功能。

性能优越

IRFP150MPBF凭借其低导通电阻、高电流处理能力和广泛的工作温度范围,为工程师提供了一款性能卓越的MOSFET解决方案。这使得该器件在追求高效率和高可靠性的电源管理应用中成为理想的选择。

结论

总之,IRFP150MPBF是一款出色的N通道MOSFET,通过其高效能、宽范围工作条件及灵活的集成方案,可以满足现代电子设计的各种需求。无论是在高负荷、电源转换还是电机驱动领域,IRFP150MPBF均能够提供优越的性能支持,帮助工程师实现高效率和高可靠性的设计目标。