IRFI4321PBF
IRFI4321PBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 150V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 34A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 16mΩ @ 20A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 46W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 34A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 16 毫欧 @ 20A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 110nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4440pF @ 50V | 功率耗散（最大值） | 46W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB 整包 | 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
IRFI4321PBF手册
IRFI4321PBF概述
IRFI4321PBF 产品概述
产品简介
IRFI4321PBF 是由英飞凌（Infineon）公司生产的一款高性能 N 沟道金属氧化物场效应管（MOSFET）。其出色的电气特性和优异的热性能使其在各类高压和高电流应用中都表现优异。该器件的漏源电压（V_DSS）可达到 150V，连续漏极电流（I_D）在 25°C 环境下可达 34A，是工业、汽车和消费电子等广泛领域的理想选择。
电气参数
IRFI4321PBF 的关键参数包括：
- 漏源电压（V_DSS）: 150V
- 连续漏极电流（I_D）: 34A（在 25°C 时）
- 栅源极阈值电压（V_GS(th)）: 5V @ 250µA，这一特性使得 MOSFET 在低电压驱动下便可开启，适应多种电力驱动应用场景。
- 漏源导通电阻（R_DS(on)）: 在 10V 驱动电压下，20A 电流时的导通电阻为 16mΩ，这意味着在开关状态下损耗极低，从而提高了整体系统效率。
- 驱动电压: 最大 R_DS(on) 和最小 R_DS(on) 驱动电压均为 10V，便于与常规电源设计无缝对接。
电容量与功率
- 栅极电荷（Q_g）: 最大值为 110nC @ 10V，使其能够更快地响应开关信号，提高开关频率。
- 输入电容（C_iss）: 在 50V 时为 4440pF，良好的电容特性使得该器件适合于高频开关应用。
- 最大功率耗散: 在 25°C 时最大限值为 46W（在接合温度 T_c 下），确保在高负载条件下可靠工作。
工作温度范围
IRFI4321PBF 支持的工作温度范围为 -55°C 至 150°C（T_J），这个宽广的温度范围确保其在各种极端条件下均能稳定运行，适用于汽车、工业设备及高温环境。
封装和安装
该元件采用 TO-220AB 封装，通孔安装设计使其便于安装于多种电路板设计。TO-220 封装不仅提供了良好的散热性能，而且也容易与现有的电源设计兼容。
应用领域
IRFI4321PBF 适用于多个应用领域，包括：
开关电源：该 MOSFET 的高导通性能与低损耗特性使其成为开关电源设计的优选元件。
电机驱动：在高电流电机驱动中，低 R_DS(on) 可显著降低功率损耗和热量生成，增强系统的可靠性和效率。
电动车充电器：IDEAL 的工作温度范围和电气特性十分适合用于电动车辆的充电器设计，能够有效提高充电效率。
绿能应用：在可再生能源相关应用如太阳能逆变器中，该 MOSFET 优良的工作性能有助于提升系统整体能效。
总结
IRFI4321PBF 是一款兼具高效能与可靠性的 MOSFET，凭借其卓越的电气特性和广泛的工作温度范围，在电源管理和驱动应用中展现了极大的灵活性和可靠性。无论是在高压开关电源、高效电机驱动还是汽车电子领域，IRFI4321PBF 都能够满足严苛的性能要求，是工程师设计现代电力电子产品时的理想选择。