IRFB4110PBF
IRFB4110PBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 120A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.5 毫欧 @ 75A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 210nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 9620pF @ 50V |
| 功率耗散（最大值） | 370W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRFB4110PBF手册
IRFB4110PBF概述
IRFB4110PBF 产品概述
1. 产品简述
IRFB4110PBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，采用 TO-220AB 封装，主要用于功率开关和功率转换电路的应用。这款 MOSFET 以其高漏源电压（Vdss）和大电流承受能力，成为了许多高效能电源管理设计的理想选择。其基本参数如 100V 的漏源电压、120A 的连续漏极电流以及高达 370W 的功率耗散能力，使其在高功率应用中极具竞争力，能够满足严苛的工作条件。
2. 技术参数
- FET 类型: N 通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）: 100V
- 连续漏极电流（Id）: 120A（在 Tc = 25°C 时）
- 驱动电压下的导通电阻（Rds On）: 最大 4.5 毫欧（在 75A，10V 下）
- 栅源阈值电压（Vgs(th)）: 最大 4V（在 250µA 下）
- 栅极电荷（Qg）: 最大 210nC（在 10V 下）
- 栅源电压（Vgs 最大值）: ±20V
- 输入电容（Ciss）: 最大 9620pF（在 50V 时）
- 功率耗散（最大）: 370W（在 Tc 下）
- 工作温度范围: -55°C 至 175°C
- 安装类型: 通孔
- 封装类型: TO-220AB
3. 应用领域
IRFB4110PBF 广泛应用于功率转换、电源管理、电动机驱动、逆变器、灯光控制，以及其他高电流和高电压的应用。其高效的导通性能和低的导通电阻，使其在电源变换器和逆变器中的使用尤为突出，能够最大程度地减少功率损耗，提高系统的整体效率。
4. 性能优势
IRFB4110PBF MOSFET 特有的高阻抗和快速开关特性使其非常适合于高频开关应用。此外，宽广的工作温度范围（-55°C 至 175°C）以及高功率耗散能力，确保了该器件在各种极端环境条件下的可靠性。
其 10V 的驱动电压下的低 Rds On 值（4.5 毫欧）确保了 MOSFET 在满载运行时的热管理优势，从而在高温和高功率应用中提供了必要的稳定性。
5. 安装与兼容性
IRFB4110PBF 采用 TO-220AB 封装，使其能够方便地安装于各种电路中，同时提供了良好的散热性能。这种封装形式常用于功率密集型的电路，有助于改善散热，使器件可以在高负载条件下稳定工作。此外，由于其通孔安装的设计，也确保了与现有 PCB 布局的良好兼容性。
6. 结论
IRFB4110PBF N 通道 MOSFET 是一款高效能、高可靠性的功率器件，适合多种高功率应用。这款器件的低导通电阻、高耐压特性以及广泛的工作温度范围，使其在高频、高功率的电源设计中不可或缺。凭借其优越的性能和稳定性，IRFB4110PBF 为现代电源管理和逆变器应用提供了一种理想的解决方案，是电子工程师在设计高效能电源时的重要选择。