注：图像仅供参考，请参阅产品规格
IRFB3206PBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
TO-220AB
包装 :
管装
重量 :
2.75g
描述 :
场效应管(MOSFET) 300W 60V 120A 1个N沟道 TO-220AB
库存 :
2308(起订量1,增量1)
批次 :
5年内数量 :
X
3.65按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.65
--
100+
￥2.92
--
1000+
￥2.7
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRFB3206PBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 120A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3 毫欧 @ 75A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 150µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 170nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6540pF @ 50V |
| 功率耗散（最大值） | 300W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRFB3206PBF手册
无数据
IRFB3206PBF概述
产品概述：IRFB3206PBF N-Channel MOSFET
一、引言
在现代电子设计中，场效应管，尤其是金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），在高功率和高频应用中扮演着至关重要的角色。IRFB3206PBF是一款由英飞凌（Infineon）制造的N沟道MOSFET，它结合了优秀的电气特性和广泛的应用潜力，成为高性能电源管理、逆变器和电机驱动等领域的理想选择。
二、主要技术指标
- FET 类型: N通道
- 技术: MOSFET
- 漏源电压（Vdss）: 60V
- 连续漏极电流（Id）: 120A（在Tc=25°C时）
- 导通电阻（Rds(on)）: 在10V驱动下，当Id=75A时，最大为3毫欧
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 在150µA时，最大值为4V
- 驱动电压: 最大的栅源电压为±20V
- 栅极电荷（Qg）: 在10V下，最大为170nC
- 输入电容（Ciss）: 在50V下，最大值为6540pF
- 功率耗散（Pd）: 最大值为300W（Tc）
- 工作温度范围: -55°C至175°C
- 封装类型: TO-220AB
三、性能解析
高功率处理能力: IRFB3206PBF以高达120A的连续漏极电流和300W的功率耗散能力，全方位满足高功率电气应用。这使得该MOSFET在电源转换和电机驱动等高效应用中极具吸引力。
低导通电阻: 最大的导通电阻为3毫欧，对于高电流应用，能够显著降低通道损耗，提升整体能效，减少热量产生。
宽工作温度范围: 其工作温度范围为-55°C至175°C，使得IRFB3206PBF能够在恶劣环境下稳定工作，适用于各种工业和军用设备。
良好的开关性能: 由于其较低的栅极电荷（Qg），IRFB3206PBF能够快速切换，这对高频操作至关重要，有助于提高开关电源的效率。
四、应用领域
IRFB3206PBF因其出色的特性，被广泛应用于多个重要领域，包括但不限于：
- 开关电源: 在AC-DC和DC-DC转换器中起着关键作用，提升能效，减小体积。
- 电机驱动: 高效率的MOSFET确保电机驱动系统在启动和运作过程中的高性能。
- 太阳能逆变器: 由于其高效能，适合用于将太阳能电池产生的直流电转换为交流电。
- 汽车应用: 适用于电动车和混合动力车中的高功率电源管理行业。
五、总结
IRFB3206PBF N沟道MOSFET是一个极具竞争力的元器件，适用于高功率场合，具有极低的导通电阻和宽广的工作温度范围，其出众的开关性能也确保了高效率的能源转换。无论是在电源设计、工业自动化还是电动交通设施中，IRFB3206PBF都能发挥其最大潜力，为现代电子产品提供强有力的支持。选择IRFB3206PBF，将为您的设计带来高效、可靠和经济的解决方案。