IRFB20N50KPBF
IRFB20N50KPBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 500V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 20A |
| 栅源极阈值电压 | 5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 250mΩ @ 12A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 280W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 250 毫欧 @ 12A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 110nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2870pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 280W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB | 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRFB20N50KPBF手册
IRFB20N50KPBF概述
IRFB20N50KPBF 产品概述
基本信息
IRFB20N50KPBF 是一款高性能的 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其具有卓越的电气特性和广泛的应用潜力。作为 VISHAY（威世）旗下的产品，IRFB20N50KPBF 适合用于高电压和高电流应用环境，具体参数包括最大漏源电压（Vdss）为 500V，连续漏极电流（Id）在 25°C 时为 20A，峰值功率耗散能力可达到 280W。
关键参数
IRFB20N50KPBF 具有许多重要的电气标准。其典型的漏源导通电阻（Rds(on)）在 10V 的栅驱动电压下，12A 的漏极电流时为 250mΩ。这意味着在高电流条件下，该器件的能量损耗非常小，提升了整体的效率。栅源极阈值电压（Vgs(th)）为 5V @ 250µA，明显减少了驱动电路设计的复杂性。
该器件的驱动电压范围为 10V，最大栅源电压（Vgs）可达 ±30V，使其在各种电源条件下都能可靠工作。此外，IRFB20N50KPBF 的栅极电荷（Qg）为 110nC @ 10V，表明其在高速开关应用中的优良性能。该MOSFET 的输入电容（Ciss）在 25V 时达 2870pF，有助于提高整体系统的稳定性。
应用场景
得益于高电压和高电流的能力，IRFB20N50KPBF 被广泛应用于各种高功率电子设备中。例如，在开关电源（SMPS）、电机驱动器、逆变器和其他需要高效率和高可靠性设备的领域，该器件均能发挥出色。其广泛的工作温度范围 -55°C 到 150°C（TJ），使其可以在极端的环境条件下正常工作，适合用于航空航天、汽车电子、工业控制等领域。
安装及封装
IRFB20N50KPBF 的封装类型为 TO-220AB，这种通孔安装的封装形式提供了良好的散热性能，便于在较高功率时有效散热。TO-220 封装的设计使得该 MOSFET 可以非常方便地与散热片结合，进一步增强器件在高温环境下的可靠性。
结论
IRFB20N50KPBF 作为一种高性能的 N 沟道 MOSFET，凭借其优良的电气特性和宽广的应用领域，成为了现代高效能电子设计中不可或缺的部件之一。VISHAY品牌的保证与其卓越的性能，使 IRFB20N50KPBF 能够满足各种严苛的应用需求，是高端电子设计师和工程师值得信赖的选择。