IRF9520NPBF
IRF9520NPBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 6.8A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 480mΩ @ 4A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 48W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.8A（Tc） | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 480 毫欧 @ 4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 27nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 350pF @ 25V | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB | 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRF9520NPBF手册
IRF9520NPBF概述
产品概述：IRF9520NPBF P沟道MOSFET
基本信息
IRF9520NPBF是一款由英飞凌（Infineon）生产的高性能P沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其设计专为各种高功率和高效率应用而开发。这款MOSFET采用TO-220AB封装，具有优良的电气特性，能够有效降低功耗并提升系统整体性能。
关键参数
漏源电压（Vdss）: 最高可承受100V的漏源电压，使其适用于多个电压等级的电源转换和控制应用。
连续漏极电流（Id）: 在25°C环境温度下，IRF9520NPBF的连续漏极电流可达6.8A。这一特性使其能够胜任多种负载条件，适应高电流负载的需求。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 该器件的栅源极阈值电压为4V @ 250µA，表明其在较小的栅极驱动电压下即可实现导通，适合低压驱动的应用环境。
漏源导通电阻（R_DS(on)）: 在4A和10V的条件下，此MOSFET的漏源导通电阻最大值为480毫欧。低导通电阻有助于减少在开关动作中产生的热量，从而增加系统的可靠性和效率。
最大功率耗散: IRF9520NPBF可在25°C的环境温度下承受最大功率耗散为48W。该高功率处理能力使其在高温和高功率应用中性能卓越。
栅极电荷（Qg）: 在10V的条件下，栅极电荷最大值为27nC，这意味着在开关操作时需要较小的驱动功耗，适合高频率切换应用。
输入电容（Ciss）: 在25V的条件下，输入电容最大值为350pF，低输入电容特性支持快速开关特性，提升了开关响应速度。
应用领域
IRF9520NPBF的设计使其广泛适用于多种应用场合，包括：
DC-DC转换器: 其高效率和低R_DS(on)特性使其成为高效能DC-DC转换器的理想选择。
电机驱动: 得益于其能够承受的高电流和电压，该MOSFET适用于电机驱动电路，尤其是在需要高电流启动和控制的场合。
电源管理: 在电源管理及分配系统中，IRF9520NPBF能够有效控制电流流向，提供稳压输出。
开关电路: 适合用于高频开关电和各种开关电源的应用，能够确保高效、稳定的电力转换。
封装与散热
IRF9520NPBF采用TO-220AB封装，具备较好的散热特性，利于处理在大功率应用中产生的热量。该封装形式不仅方便安装和布局，还可有效减少设备的整体尺寸。在设计电路时，合理的散热设计可确保该MOSFET在高功率下的可靠工作。
总结
总体而言，IRF9520NPBF是一款性能优越的P沟道MOSFET，凭借其高电压和电流能力、低导通电阻及优良的开关特性，成为电子设计工程师在电源管理、驱动电路及其它高功率应用中的首选元件。这款MOSFET不仅能够提高系统效率，还能够延长产品使用寿命，为高性能电子设备提供了必要的解决方案。