IRF8736TRPBF
IRF8736TRPBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 18A |
| 栅源极阈值电压 | 2.35V @ 50uA | 漏源导通电阻 | 4.8mΩ @ 18A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2.5W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 18A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.8 毫欧 @ 18A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 50µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 26nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2315pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-SO | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
IRF8736TRPBF手册
IRF8736TRPBF概述
IRF8736TRPBF 产品概述
1. 产品基本信息
IRF8736TRPBF 是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），由知名品牌英飞凌（Infineon）生产，采用了SOP-8封装。这款MOSFET在业界以其优异的导通性能和较高的电流承载能力而受到广泛应用，适合多种电子电路设计需求。
2. 主要电气特性
- 漏源电压（Vdss）: 该型号的最大漏源电压为30V，使其能够在中等电压应用中稳定工作。
- 连续漏极电流（Id）: 在25°C环境条件下，IRF8736TRPBF可承载高达18A的电流，非常适合需要较大电流驱动的电路，具有良好的电流输出能力。
- 导通电阻（Rds(on)）: 在驱动电压为10V的条件下，漏源导通电阻小至4.8毫欧，这一特性显著降低了功率损耗和发热，提高了设备的整体效率。
3. 驱动参数
IRF8736TRPBF的栅源极阈值电压为2.35V（在50µA时测量），适合低电压驱动条件，方便与数字电路兼容。此MOSFET在4.5V和10V的驱动电压下都能达到最佳的导通特性，使其在各种工作条件下表现稳定。此外，栅极电荷（Qg）为26nC（在4.5V驱动下），确保快速开关能力，适应高频率操作需求。
4. 功率与热管理
IRF8736TRPBF的最大功率耗散为2.5W，这对于其尺寸和封装类型而言是十分合理的。这款MOSFET在广泛的工作温度范围（-55°C至150°C）下运行良好，确保在严苛环境下的可靠性。低的Rds(on)特性还意味着在高负载运行时整体发热较低，提高了设备的散热及长时间稳定运行能力。
5. 应用场景
这款MOSFET被广泛应用于各类电子产品和电路设计中，包括但不限于：
- 直流电机驱动器
- 开关电源
- LED照明驱动
- 电池管理系统
- 高频开关应用
由于其出色的性能，IRF8736TRPBF尤其适合在需要高效率、低功耗和高热管理能力的应用场景中使用。
6. 封装与安装
IRF8736TRPBF采用SO-8封装，外形尺寸小巧，能够满足现代电子产品对空间利用的高要求。表面贴装技术（SMD）也使得其在自动化生产中的应用更加方便，能够减少装配成本和时间。
7. 总结
总的来说，IRF8736TRPBF是一款高效、稳定且适应性强的N沟道MOSFET，结合了英飞凌的先进技术，使其在众多电子应用中成为理想选择。其优异的电气特性和广泛的应用潜力，使其在业界表现突出，受到工程师们的青睐。无论是在低压高电流的电源设计，还是在需要高频快速开关的应用中，IRF8736TRPBF无疑都是值得信赖的选择。