IRF7316TRPBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IRF7316TRPBF

商品编码: BM0000287927
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
SO-8
包装 : 
编带
重量 : 
0.197g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2W 30V 4.9A 2个P沟道 SOP-8
库存 :
3059(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
2.64
按整 :
圆盘(1圆盘有4000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.64
--
100+
¥2.12
--
1000+
¥1.89
--
2000+
¥1.79
--
24000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRF7316TRPBF参数

安装类型表面贴装型不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)58 毫欧 @ 4.9A,10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4.9AFET 类型2 个 P 沟道(双)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)710pF @ 25V工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)34nC @ 10V漏源电压(Vdss)30V
FET 功能逻辑电平门功率 - 最大值2W
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 250µA

IRF7316TRPBF手册

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IRF7316TRPBF概述

IRF7316TRPBF 产品概述

产品名称:IRF7316TRPBF
品牌:Infineon (英飞凌)
封装类型:SO-8
安装类型:表面贴装型 (SMD)

一、产品简介

IRF7316TRPBF 是一款高性能的 P 沟道场效应管(MOSFET),其设计旨在满足现代电子设备对功率和效率的严格要求。它具有双通道结构,适合应用于多种场景,包括电源管理、驱动电路和开关电源等。其最大漏源电压为30V,能够在较高电压环境下稳定工作。IRF7316TRPBF 的最大连续漏极电流可达4.9A,这使其适合中等功率应用。

二、主要技术指标

  • 导通电阻 (Rds(on)):在4.9A和10V的条件下,最大导通电阻仅为58毫欧,这意味着在正常工作状态下产生的功耗极其有限,提升了整体效率。
  • 漏电流 (Id):产品设计支持最大4.9A的连续漏极电流,这保证了其能够在多个并联或集中负载的应用中长期稳定工作。
  • 工作温度:该器件的工作温度范围从-55°C到150°C,适合在极端温度环境下使用,特别是在航空航天、汽车和工业控制等领域。
  • 漏源电压 (Vdss):最大漏源电压为30V,使其适用在电压相对较低的电源轨,减少了电压损耗和热量产生。
  • 输入电容 (Ciss):在25V下最大输入电容为710pF,这在高速开关中有助于提高开关频率,降低驱动功耗。
  • 栅极电荷 (Qg):在10V栅极电压下的最大栅极电荷为34nC,这充分表明了驱动器的效率,影响器件开关速度和开关消耗。
  • 栅极阈值电压 (Vgs(th)):在250µA的测试条件下,最大栅极阈值电压为1V,这使得该器件在低栅压下即可导通,适用于逻辑电平驱动电路。

三、应用领域

IRF7316TRPBF 适用于广泛的应用场景,以下是若干建议的应用:

  1. 电源管理:可以作为电源开关,特别是在DC-DC转换器中,帮助实现高效的电源转化。
  2. 马达驱动:适合用于直流电机的驱动电路,能够控制电机的启停和调速。
  3. 开关电源:在各种开关电源设计中能够有效降低开关损耗,提升整体效率。
  4. 负载开关:用作负载的开关控制,能够实现负载的按需启停,减少待机功耗。
  5. 限制电流电路:能够应用于过流保护电路中,有效控制电流流向,保护负载。

四、总结

IRF7316TRPBF 是一款性能优良的 P 沟道 MOSFET,具备优秀的开关特性和热管理能力,非常适合现代电子产品的需求。作为英飞凌公司的产品,它充分继承了品牌在半导体领域的技术优势。在选择功率开关元件时,IRF7316TRPBF 提供了广泛的应用可能,使其成为设计师和工程师们的理想选择。无论是在消费电子、工业、汽车还是其他需要高性能多功能场景中,IRF7316TRPBF 都是一款重量级的组件。