安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 58 毫欧 @ 4.9A,10V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.9A | FET 类型 | 2 个 P 沟道(双) |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 710pF @ 25V | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 34nC @ 10V | 漏源电压(Vdss) | 30V |
FET 功能 | 逻辑电平门 | 功率 - 最大值 | 2W |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
产品名称:IRF7316TRPBF
品牌:Infineon (英飞凌)
封装类型:SO-8
安装类型:表面贴装型 (SMD)
IRF7316TRPBF 是一款高性能的 P 沟道场效应管(MOSFET),其设计旨在满足现代电子设备对功率和效率的严格要求。它具有双通道结构,适合应用于多种场景,包括电源管理、驱动电路和开关电源等。其最大漏源电压为30V,能够在较高电压环境下稳定工作。IRF7316TRPBF 的最大连续漏极电流可达4.9A,这使其适合中等功率应用。
IRF7316TRPBF 适用于广泛的应用场景,以下是若干建议的应用:
IRF7316TRPBF 是一款性能优良的 P 沟道 MOSFET,具备优秀的开关特性和热管理能力,非常适合现代电子产品的需求。作为英飞凌公司的产品,它充分继承了品牌在半导体领域的技术优势。在选择功率开关元件时,IRF7316TRPBF 提供了广泛的应用可能,使其成为设计师和工程师们的理想选择。无论是在消费电子、工业、汽车还是其他需要高性能多功能场景中,IRF7316TRPBF 都是一款重量级的组件。