IRF530NSTRLPBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
D2PAK
包装 :
编带
重量 :
2.054g
描述 :
场效应管(MOSFET) 3.8W；70W 100V 17A 1个N沟道 TO-263-2
库存 :
1711(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
2.71按整 :
圆盘(1圆盘有800个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.71
--
50+
￥2.09
--
800+
￥1.74
--
16000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRF530NSTRLPBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 17A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 90mΩ @ 9A,10 |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 70W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 17A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 90 毫欧 @ 9A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 37nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 920pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 3.8W（Ta），70W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | D2PAK | 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
IRF530NSTRLPBF手册
IRF530NSTRLPBF概述
IRF530NSTRLPBF 产品概述
产品简介
IRF530NSTRLPBF 是一款高性能 N 沟道 MOSFET，具有额定漏源电压（Vdss）100V，最大连续漏极电流（Id）为17A（在25°C时），适用于各种电子应用，包括电源管理、电机驱动以及开关电源等。其具有良好的导通性能和较低的漏源导通电阻，能够有效降低功耗，并提高系统的可靠性。
关键参数
- 漏源电压（Vdss）: 100V
- 连续漏极电流（Id）: 17A (25°C, TC)
- 漏源导通电阻 (Rds(on)): 90 mΩ @ 9A, 10V
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 4V @ 250µA
- 最大功率耗散: 70W (Tc), 3.8W (Ta)
- 工作温度范围: -55°C 至 175°C
电气特性
IRF530NSTRLPBF 的栅极电荷 (Qg) 最大值为37nC @ 10V，使其具备较快的开关速度。这一特性使得器件在高频应用场合表现出色，能够有效提升系统的工作效率。其输入电容（Ciss）在25V时最大值为920pF，说明其在高频开关动作下的驱动要求相对较低，有利于降低驱动电路的功耗。
封装和安装
该 MOSFET 采用 D2PAK 封装（TO-263-3），这是一种表面贴装型封装形式，提供良好的散热性能，适合高功率应用。D2PAK 的封装设计确保了更好的引线连接性，并且易于自动化生产，对于大量生产的设备具有较好的适应性。
应用领域
IRF530NSTRLPBF 被广泛用于多个电子应用中，尤其是：
- 电源管理: 在 DC-DC 转换器、开关电源等电源模块中，IRF530NSTRLPBF 的高效能能够显著提高转换效率。
- 电机驱动: 由于其可以承受高电压和较大电流，适合用于电机驱动电路中，特别是在电动车辆和工业自动化设备中。
- 开关电路: MOSFET 的高开关速度使其非常适合高频开关应用，包括推动 LED 照明或 RF 功率放大器。
总结
IRF530NSTRLPBF 是一款功能强大且效率高的 N 沟道 MOSFET，具备良好的电气和热性能，适合各种苛刻的工业和消费类电子应用。其低导通电阻、宽广的工作温度范围和高功率处理能力，令其在当今高效能电子设计中凸显出重要的价值。凭借构建在 Infineon 的先进技术平台上，这款 MOSFET 被广泛应用于全球范围内的电源管理和高电流驱动应用中，成为工程师们设计高效可靠电路的理想选择。