IRF3717TRPBF
IRF3717TRPBF参数
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm宽） | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 20V | 栅源电压 Vgss | ±20V |
| 安装类型 | 表面贴装(SMT) | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.4 毫欧 @ 20A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.45V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 33nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2890pF @ 10V | 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 供应商器件封装 | 8-SO |
IRF3717TRPBF手册
IRF3717TRPBF概述
IRF3717TRPBF 产品概述
IRF3717TRPBF是英飞凌（Infineon）公司推出的一款高性能N沟道MOSFET，封装形式为8-SOIC（0.154"宽，3.90mm），其设计专为满足多种应用需求，包括高效能电源管理、电机驱动和开关电源等。该产品的优异性能和广泛的兼容性使其成为现代电子设计中的理想选择。
关键特性
高漏源电压: IRF3717TRPBF的漏源极电压（Vds）最大能够达到20伏特。这一规格使其适合用于中低压应用，能够有效地进行高频开关，为电路提供稳定的工作性能。
大电流处理能力: 该MOSFET在25°C环境温度下，能够持续承载最大20安培的漏极电流（Id）。这一特性对于需要大电流传输的应用是至关重要的。
低导通电阻: IRF3717TRPBF在10V时，最大导通电阻（Rds(on)）仅为4.4毫欧。这一低电阻特性不仅能够减少功率损耗，提高能效，而且还有效降低了发热，延长了器件的寿命。
广泛的栅源电压范围: 该MOSFET的栅源电压最大为±20V，这使得其具备良好的驱动灵活性，能够在多种电路条件下进行有效驱动，从而提升了设计的灵活性。
高工作温度范围: IRF3717TRPBF具有-55°C至150°C的工作温度范围，这使得其在严苛环境下依然能够保持高效稳定的性能，适用于汽车、工业和消费类电子等多个领域。
高功率耗散能力: 最大功率耗散值为2.5瓦特（Ta），此项指标对于高负载和快速开关的应用极具意义，确保MOSFET在各种工作条件下均能保持稳定。
应用领域
IRF3717TRPBF广泛应用于以下几个领域：
- 开关电源（SMPS）: 该MOSFET能够在高频开关转换中有效工作，降低能量损耗，提升效率。
- 电机控制: 由于其能够接受较高电压和电流，适用于电机驱动和电源切换等模块，可确保电机运作的平稳与高效。
- LED驱动: IRF3717TRPBF在LED照明驱动应用中表现卓越，能够提供更高的效率和更好的散热性能，使得LED灯具更加耐用。
- 汽车电子: 该产品适应于汽车电子系统中，能够处理高电流和温度，符合汽车产业的严格要求。
结论
综上所述，IRF3717TRPBF作为英飞凌公司推出的高性能N通道MOSFET，凭借其优异的电气性能、广泛的应用领域以及可靠的工作温度范围，为 modern 电子设计提供了一个极具吸引力的解决方案。其低导通电阻和高电流处理能力，使其在高效能电源管理和驱动应用中扮演了重要角色。随着电子技术的发展，IRF3717TRPBF有望在更多先进应用中得到广泛应用，帮助设计师实现更高效、更可靠的电路设计。