驱动配置 | 半桥 | 通道类型 | 同步 |
驱动器数 | 2 | 栅极类型 | IGBT,N 沟道 MOSFET |
电压 - 供电 | 10V ~ 20V | 逻辑电压 - VIL,VIH | 0.8V,3V |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 210mA,360mA | 输入类型 | 非反相 |
高压侧电压 - 最大值(自举) | 600V | 上升/下降时间(典型值) | 100ns,50ns |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | 8-DIP(0.300",7.62mm) | 供应商器件封装 | 8-PDIP |
IR2104PBF 是一款高性能的 MOSFET 半桥驱动器,由 Infineon(英飞凌)公司制造。该器件被广泛应用于电机控制、开关电源、逆变器以及其他需要高效能驱动的应用场景。IR2104PBF 设计用于推动高侧和低侧 N 沟道 MOSFET 或 IGBT,从而实现非常高效的功率转换和管理。
IR2104PBF 驱动器具有双通道配置,能够同时控制两个 MOSFET 或 IGBT,提供高度集成的解决方案。它的驱动器数为 2,支持半桥驱动架构,使得在同一电路中可以有效地控制功率传输。该器件的供电电压范围为 10V 至 20V,逻辑输入电压要求低至 0.8V(VIL)和 3V(VIH),符合现代数字控制设备的输入要求,这使其能够轻松集成入多种控制架构中。
IR2104PBF 提供的峰值输出电流能力分别为 210mA (灌入)和 360mA (拉出),使得更快的开关速度和减少的开关损耗成为可能。该器件提供的上升时间典型为 100ns,下降时间典型为 50ns,表明其在高速开关应用中的优越性能。优化的开关特性大幅提升了功率转换效率,在高工作频率下表现出色。
该驱动器的高压侧电压最大值为 600V,这使其特别适用于需要高电压支撑的应用场合,例如电力变换器和高压电机驱动系统。自举功能的设计使其在各种高压环境下运行更加可靠,能有效防止故障和确保设备长期稳定运行。
IR2104PBF 的工作温度范围从 -40°C 到 150°C,不仅适用于普通环境,还能在极端条件下正常工作,为不同的应用提供了高度的灵活性和适应性。这一特性使其成为工业应用及恶劣环境下电子设备的理想选择。
该产品采用了 8-DIP(0.300",7.62mm)的封装设计,具有较好的散热特性和较易于焊接处理的特性。通孔安装的设计提供了更好的电流承载能力,并简化了与 PCB(印刷电路板)的集成。其封装的体积小,利于空间受限的设计。
IR2104PBF 驱动器的应用涵盖了多个领域,包括但不限于:
IR2104PBF 半桥驱动器以其出色的性能、灵活的应用场景和耐用的工作特性成为电子设计中重要的组成部分。随着对高效能和高集成度电子产品需求的增加,IR2104PBF 无疑将发挥重要的作用,是一款值得投资的驱动器选择。