额定功率 | 3W | 集电极电流Ic | 6A |
集射极击穿电压Vce | 20V | 晶体管类型 | PNP |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 6A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 20V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 450mV @ 250mA,6A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 50nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 1A,1V | 功率 - 最大值 | 3W |
频率 - 跃迁 | 80MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
供应商器件封装 | SOT-223 |
FZT948TA 是一款高性能的PNP型双极型晶体管(BJT),专为各类电子应用而设计。凭借其卓越的电流处理能力和低饱和压降特点,FZT948TA 为多种电源管理和开关电路提供了一种理想的解决方案。
额定功率和电流承载能力 FZT948TA 的额定功率为 3W,能够承受最大集电极电流 Ic 为 6A,这使得它在高功率应用中非常可靠。其高电流能力适用于各类电机驱动、继电器控制以及其他高负载应用。
电压和饱和压降 本产品的集射极击穿电压 Vce 最大值为 20V,适合于较低电压的电路设计。当在高电流(如 6A)条件下工作时,FZT948TA 的 Vce 饱和压降最大值为 450mV(在 250mA 时),在提高效率和降低热量方面具有出色表现,能够有效降低功耗和热管理的要求。
电流增益特性 FZT948TA 在电流增益(hFE)方面表现优异,最小值为 100 @ 1A,1V,提供了良好的增益特性,可用于需要放大信号的各种电路中。这种高增益使得该晶体管能够在较小的基极电流下控制较大的集电极电流,实现高效开关操作。
频率响应 FZT948TA 的跃迁频率达到 80MHz,意味着它能够支持高频率的开关应用,特别适用于高频开关电源和射频(RF)电路。
广泛的工作温度范围 其工作温度范围为 -55°C ~ 150°C,使得 FZT948TA 能够适应极端环境条件,适合军事、航空航天及工业应用。
多种封装选项 FZT948TA 采用 SOT-223 封装(TO-261-4, TO-261AA),该表面贴装型设计非常适合现代紧凑型电路板,方便布局优化和散热。同时,SOT-223 封装可以提高产品的可靠性及抗震性。
FZT948TA 的特性令其适合于多种应用场合,包括但不限于:
FZT948TA 是一款具备高效能和可靠性的PNP晶体管,拥有广泛的应用潜力和卓越的电气特性。无论是在高功率开关还是信号处理的应用中,它都能以高效低功耗的表现迎合现代电子设备的发展需求。凭借硬件制造商 DIODES 的品牌保障,FZT948TA 提供了设计师在产品开发中的理想选择,帮助他们在追求技术创新的道路上迈出坚定的一步。