FZT658TA
FZT658TA参数
| 额定功率 | 2W | 集电极电流Ic | 500mA |
| 集射极击穿电压Vce | 400V | 晶体管类型 | NPN |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 500mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 400V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 500mV @ 10mA，100mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 40 @ 200mA，10V | 功率 - 最大值 | 2W |
| 频率 - 跃迁 | 50MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
FZT658TA手册
FZT658TA概述
FZT658TA 产品概述
FZT658TA 是一种高性能的 NPN 型三极管，广泛应用于各种电子电路中，如开关电源、信号放大、功率控制和线性调节等。这款器件由 DIODES 公司生产，具有出色的电气特性和可靠性，适合在多种环境条件下工作。
主要规格
额定功率：FZT658TA 的额定功率为 2W，使其能有效处理中等功率的应用，这一特性使其非常适合在要求相对较高功率处理的系统中使用。
集电极电流 (Ic)：FZT658TA 的最大集电极电流为 500mA，能够满足大多数中小功率负载驱动的需求。特别是在移动设备、家用电器和工业控制中，500mA 的输出能力为设计提供了灵活性。
集射极击穿电压 (Vce)：FZT658TA 的集射极击穿电压高达 400V，确保在高电压操作情况下的可靠性。这使其适用于直流电机驱动、电源转换和高电压开关应用。
电流增益 (hFE)：在 200mA 和 10V 的操作条件下，FZT658TA 的最小直流电流增益 (hFE) 为 40，表明其具有良好的增益特性，这对放大和驱动应用至关重要。高增益的特性能够减少驱动信号的强度，提高电路的整体效率。
饱和压降：在不同电流 (Ib 和 Ic) 情况下，FZT658TA 的 Vce 饱和压降最大为 500mV（在 10mA 和 100mA 条件下），这一特性在开关操作中显得尤为重要，可以有效降低功耗，提升工作效率。
温度范围：FZT658TA 的工作温度范围为 -55°C ~ 150°C，使其非常适合于恶劣环境下的应用。这种宽广的温度适应性使得该三极管能够在汽车电子、工业设备和航空等严苛环境中正常运行。
封装与安装型
FZT658TA 采用 SOT-223 表面贴装封装，符合现代电子设备对尺寸和集成化的需求。此种封装非常适合自动化生产流程，使其能够轻松集成到各种印刷电路板 (PCB) 中。SOT-223 封装还具有良好的散热特性，有助于在高功率运行下维护晶体管的可靠性。
应用场景
FZT658TA 被广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子等领域，其适用的具体示例包括：
开关电源：因其高压耐受和电流处理能力，FZT658TA 可以作为开关电源中的关键驱动元件。
信号放大：在音频处理和射频应用中，FZT658TA 的增益特性可用于信号放大器中。
电机驱动：其高的 Ic 值和 Vce 耐受性使其适合用于直流电机的控制和驱动电路。
高频应用：频率跃迁达 50MHz 的特性，使得 FZT658TA 可用于高频开关和信号调制应用。
综上所述，FZT658TA 是一款性能优异，可靠性高的 NPN 三极管，适合各类中等功率及高压应用。其丰富的规格和广泛的应用场景，使其成为电子设计工程师在选择材料时的热门选择，在现代电子设备中具有不可或缺的地位。通过灵活应用该器件，设计工程师可以充分利用其电气特性，满足不断变化的市场需求。