晶体管类型 | NPN | 集电极电流Ic | 1A |
集射极击穿电压Vce | 100V | 额定功率 | 500mW |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 100V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 600mV @ 100mA,1A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 250mA,10V | 功率 - 最大值 | 500mW |
频率 - 跃迁 | 150MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | SOT-23-3 |
FMMT493TA 是一款高性能的 NPN 型晶体管,专为多种电子应用设计,具备优良的电气特性和宽泛的工作温度范围。它的主要参数包括集电极电流(Ic)最大值为 1A,集射极击穿电压(Vce)最大值为 100V,以及额定功率为 500mW。这使得 FMMT493TA 能够在大多数常见的电子电路中发挥重要作用,尤其是在需要较高电流和电压的场景下。
FMMT493TA 的重要电气特性包括:
FMMT493TA 的频率跃迁能力高达 150MHz,因此可以广泛应用于高频信号处理和开关电源等应用中。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C(TJ),使其非常适合汽车、工业及其他恶劣环境下的应用,证实了其在严酷条件下的可靠性和稳定性。
FMMT493TA 采用 SOT-23-3 封装,这种表面贴装型的封装形式具有占用空间小、散热性能良好以及便于自动化焊接等优点。因此,非常适合现代电子设备的小型化设计需求。
FMMT493TA 适用于多种应用场景,包括但不限于:
FMMT493TA 由美台(DIODES)公司生产,享有良好的市场声誉,具有高质量和可靠性。DIODES 专注于提供创新的半导体解决方案,其产品广泛应用于消费电子、汽车电子、通讯设备等领域,确保了 FMMT493TA 的优质性能和长期可用性。
FMMT493TA 作为一款高效的 NPN 晶体管,集成了多种优秀的电气特性和广泛的应用潜力,是现代电子设计中不可或缺的重要元器件。由于其小巧的封装、高电流及高电压的适用性,它能够满足各类应用的需求,是设计师和工程师值得信赖的选择。无论是在简单的信号处理还是在复杂的开关电源应用中,FMMT493TA 都能够提供稳定和可靠的性能,助力各种电子项目的顺利实施。