FDMS86200

产品概述：FDMS86200

FDMS86200 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，专为高电压和高电流应用而设计。其典型应用包括电源管理、DC-DC 转换器、马达驱动器以及各种开关电源系统。该器件由安森美半导体（ON Semiconductor）制造，具有卓越的电气性能和较宽的操作温度范围，适合于各种工业和消费电子应用。

关键特性

1. 电气性能：

   • 漏源电压（Vdss）：FDMS86200 的漏源电压可达到 150V，能够可靠地在高电压环境中工作，这使得其在高压转换器和电源管理电路中非常有用。
   • 连续漏极电流（Id）：该器件在 25°C 温度下的最大连续漏极电流为 9.6A，并在工作温度为 150°C (Tc) 时可达到最高 35A，显示出其优异的电流承载能力。
   • 低导通电阻（Rds(on)）：在 10V 的栅源电压下，FDMS86200 的导通电阻最大值为 18 毫欧，这为其在高效能电源和低功耗应用中提供了极大的优势。

2. 驱动电压：

   • 该器件具备适用于各种驱动电压的特性，最大 Rds(on) 对应的驱动电压为 6V 至 10V，具备较好的灵活性和设计适应性。

3. 开关速率和电容性能：

   • FDMS86200 的栅极电荷（Qg）在 10V 的情况下为 46nC，便于实现快速开关，进一步提高了能量转换效率。
   • 同时，该器件在 75V 时的输入电容（Ciss）最大值为 2715pF，提供了良好的频率响应，适合高频开关应用。

4. 温度特性：

   • FDMS86200 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，提供了极好的热稳定性，适应多种严苛环境，从汽车到工业电子设备均可应用。

5. 功率耗散：

   • 完美的功率管理设计意味着该器件在环境温度下（Ta）最大功耗为 2.5W，而在最佳散热条件下（Tc）可达 104W，显著提高了使用灵活性。

封装和安装

FDMS86200 采用紧凑的 8-PQFN（5x6）封装形式，适合于表面贴装技术（SMT），便于在现代小型化的电路板上应用。这种设计在保持良好的散热和电气性能的同时，极大地节省了电路板的空间。

应用场景

由于其出色的电气特性，FDMS86200 适用于多个领域和应用场景，包括：

• 高效能 DC-DC 转换器
• 逆变器
• 电动机控制系统
• 电源管理模块
• LED 驱动器
• 电池管理系统

结论

FDMS86200 是一款优秀的 N 通道 MOSFET，凭借其高电流承载能力、低导通电阻和灵活的工作温度范围，成为工业、汽车和消费电子领域中卓越的功率开关解决方案。安森美的这一器件以其优异的性能和优良的可靠性，能够满足日益增长的电子应用需求，助力工程师实现高效能和高可靠性的设计。